厂商Fairchild Semiconductor 半导体分离式半导体 MMBT5551 数据手册，datasheet pdf下载

型号：	MMBT5551
厂商：	Fairchild Semiconductor
标准：
分类：	半导体，分离式半导体
描述：	transistors bipolar - bjt sot-23 npn gen pur
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MMBT5551的详细信息

Manufacturer：	Fairchild Semiconductor
Product Category：	Transistors Bipolar - BJT
RoHS：	Yes
Configuration：	Single
Transistor Polarity：	NPN
Collector- Base Voltage VCBO：	180 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max：	160 V
Emitter- Base Voltage VEBO：	6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：	0.2 V
Maximum DC Collector Current：	0.6 A
Gain Bandwidth Product fT：	300 MHz
Maximum Operating Temperature：	+ 150 C
Mounting Style：	SMD/SMT
Package / Case：	SOT-23
Brand：	Fairchild Semiconductor
Continuous Collector Current：	0.6 A
DC Collector/Base Gain hfe Min：	80
DC Current Gain hFE Max：	250
Maximum Power Dissipation：	350 mW
Minimum Operating Temperature：	- 55 C
Packaging：	Reel
Series：	MMBT5551
Factory Pack Quantity：	3000
Part # Aliases：	MMBT5551_NL
Unit Weight：	60 mg

June 2013

2N5551 / MMBT5551

NPN General-Purpose Amplifier

Description

This device is designed for general-purpose high-voltage

amplifiers and gas discharge display drivers.

2N5551

MMBT5551

TO-92

SOT-23

Marking: 3S

1. Base 2. Emitter 3. Collector

Ordering Information⁽¹⁾

Part Number

2N5551TA

Top Mark

5551

Package

TO-92 3L

SOT-23 3L

Packing Method

Ammo

2N5551TFR

2N5551TF

5551

Tape and Reel

Bulk

5551

2N5551BU

MMBT5551

5551

Tape and Reel

Note:

1. Suffix “-C” means Center Collector in 2N5551 (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

Suffix “-Y” means h 180~240 in 2N5551 (Test condition: I = 10 mA, V = 5.0 V)

2N5551 / MMBT5551 Rev. 1.1.0

www.fairchildsemi.com

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