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Fairchild Semiconductor 
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NDC652P的详细信息
| Datasheets： | |
|---|---|
| NDC652P： | |
| Product Photos： | |
| SSOT-6 Pkg： | |
| PCN Design/Specification： | |
| Mold Compound 08/April/2008： | |
| Standard Package ： | 1 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | - |
| Packaging ： | Cut Tape (CT) |
| FET Type： | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature： | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 2.4A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 15V |
| Power - Max： | 800mW |
| Mounting Type： | Surface Mount |
| Package / Case： | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package： | 6-SSOT |
| Other Names： | NDC652PCT |
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