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NE3510M04-T2-A的详细信息
| Manufacturer： | CEL |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF JFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | CEL |
| Type： | GaAs HEMT |
| Forward Transconductance - Min： | 70 mS |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 4 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | - 3 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 97 mA |
| Frequency： | 4 GHz |
| Gain： | 16 dB |
| Pd - Power Dissipation： | 125 mW |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | FTSMM-4 (M04) |
| Packaging： | Reel |
| Noise Figure： | 0.45 dB |
| P1dB： | 11 dBm |
| Product： | RF JFET |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
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