厂商Toshiba Semiconductor and Storage 半导体晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 RN1424TE85LF 数据手册，datasheet pdf下载

型号：	RN1424TE85LF
厂商：	Toshiba Semiconductor and Storage
标准：
分类：	半导体，晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述：	trans prebias npn 200mw smini
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RN1424TE85LF的详细信息

Datasheets：
RN142x：
Product Photos：
SOT-23-3：
Standard Package ：	3,000
Category：	Discrete Semiconductor Products
Family：	Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased
Series：	-
Packaging ：	Tape & Reel (TR)
Transistor Type：	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)：	800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)：	10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)：	10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：	90 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：	250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)：	500nA
Frequency - Transition：	300MHz
Power - Max：	200mW
Mounting Type：	Surface Mount
Package / Case：	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package：	S-Mini

RN1424TE85LF