Rohm Semiconductor 
RQ3E080GNTB的详细信息
| Datasheets： | |
|---|---|
| RQ3E080GN： | |
| Standard Package ： | 1 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | - |
| Packaging ： | * |
| FET Type： | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature： | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 16.7 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 5.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 295pF @ 15V |
| Power - Max： | 2W |
| Mounting Type： | * |
| Package / Case： | * |
| Supplier Device Package： | * |
| Other Names： | RQ3E080GNTBCT |
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