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Vishay Siliconix 
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SIE882DF-T1-GE3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 229 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 1.4 mOhms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 2.2 V |
| Qg - Gate Charge： | 46 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 125 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | PolarPAK-10 |
| Packaging： | Reel |
| Forward Transconductance - Min： | 125 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Series： | TrenchFET |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Part # Aliases： | SIE882DF-GE3 |
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