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Vishay Siliconix 
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SIHB33N60E-GE3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 4 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 33 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 99 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4 V |
| Qg - Gate Charge： | 150 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 278 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | D2PAK-2 |
| Packaging： | Tube |
| Fall Time： | 80 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 11 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 90 ns |
| Series： | SIHxxxN60x |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
| Tradename： | E-Series |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 150 ns |
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