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Vishay Siliconix 
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SIHG20N50C-E3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 225 mOhms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 5 V |
| Qg - Gate Charge： | 65 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 292 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-247-3 |
| Packaging： | Tube |
| Fall Time： | 44 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 6.4 S |
| Rise Time： | 27 ns |
| Factory Pack Quantity： | 25 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 32 ns |
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