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Vishay Siliconix 
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SIZ300DT-T1-GE3的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay / Siliconix |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 9.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 20 mOhms, 9 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 2.4 V |
| Qg - Gate Charge： | 7.4 nC, 14.2 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 3.7 W, 4.2 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | PowerPAIR-8 3X3 |
| Packaging： | Reel |
| Fall Time： | 10 ns, 40 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 30 S |
| Rise Time： | 45 ns, 80 ns |
| Series： | SIZxxxDT |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Part # Aliases： | SIZ300DT-GE3 |
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