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SSM6J212FE,LF的详细信息
| Manufacturer： | Toshiba |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 20 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 8 V |
| Id - Continuous Drain Current： | - 4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 94 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | - 0.3 V to - 1 V |
| Qg - Gate Charge： | 14.1 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 500 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | ES-6 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Toshiba |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Factory Pack Quantity： | 4000 |
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