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STMicroelectronics 
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STB26NM60ND的详细信息
| Manufacturer： | STMicroelectronics |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 25 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 21 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 145 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4 V |
| Qg - Gate Charge： | 54.6 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 190 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | D2PAK-2 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | STMicroelectronics |
| Fall Time： | 27.5 ns |
| Rise Time： | 14.5 ns |
| Series： | STB26NM60ND |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 69 ns |
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