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STMicroelectronics 
STP180N10F3的详细信息
| Manufacturer： | STMicroelectronics |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | STMicroelectronics |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 120 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 4.5 mOhms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4 V |
| Qg - Gate Charge： | 114.6 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 315 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Fall Time： | 6.9 ns |
| Rise Time： | 97.1 ns |
| Series： | STP180N10F3 |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
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