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TK10A60D(STA4,Q,M)的详细信息
| Manufacturer： | Toshiba |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Toshiba |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 750 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4 V |
| Qg - Gate Charge： | 25 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 45 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220FP-3 |
| Fall Time： | 100 ns |
| Rise Time： | 55 ns |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 15 ns |
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