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IGOT60R070D1AUMA1的详细信息
制造商: | Infineon 产品种类 |
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RoHS: | 详细信息 |
技术: | GaN |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PG-DSO-20 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | 31 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 70 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 0.9 V |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 10 V |
Qg-栅极电荷: | 5.8 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 125 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | CoolGaN |
封装: | Cut Tape |
封装: | Reel |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | Infineon Technologies |
下降时间: | 13 ns |
HTS Code: | 8541290095 |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 9 ns |
工厂包装数量: | 800 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 15 ns |
典型接通延迟时间: | 15 ns |
零件号别名: | SP001505772 |
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