单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.9A（Ta）11.9A（Ta），78A（Tc）
功率耗散（最大值）
770mW（Ta）770mW（Ta），33W（Tc）
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制造商零件编号
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系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4C05NT1G
MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
onsemi
8,770
现货
13,500
工厂
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.02005
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11.9A（Ta）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1972 pF @ 15 V
-
770mW（Ta），33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4C05NT1G-001
MOSFET N-CH 30V 11.9A/78A 5DFN
onsemi
0
现货
Digi-Key 停止提供
-
卷带（TR）
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11.9A（Ta），78A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1972 pF @ 15 V
-
770mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。