单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
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制造商零件编号
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系列
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产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
RB098BM-40FNSTL
RD3L080SNTL1
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Rohm Semiconductor
6,442
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.57541
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET（金属氧化物）60 V8A（Ta）4V，10V80 毫欧 @ 8A，10V2.5V @ 1mA9.4 nC @ 10 V±20V380 pF @ 10 V-15W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）--表面贴装型TO-252TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RB098BM-40FNSTL
RD3L080SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Rohm Semiconductor
7,088
现货
1 : ¥11.71000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.85316
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET（金属氧化物）60 V8A（Ta）4V，10V80 毫欧 @ 8A，10V2.5V @ 1mA9.4 nC @ 10 V±20V380 pF @ 10 V-15W（Tc）150°C（TJ）汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-252TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。