单 FET，MOSFET

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Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）350mW（Ta）
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FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
RUC002N05T116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
579,952
现货
1 : ¥2.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41736
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET（金属氧化物）50 V200mA（Ta）1.2V，4.5V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V1V @ 1mA±8V25 pF @ 10 V-200mW（Ta）150°C（TJ）--表面贴装型SST3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SBA120CS-AUR1A1XXX
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥1.95000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32663
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET（金属氧化物）50 V200mA（Ta）1.2V，4.5V-1V @ 1mA±8V25 pF @ 10 V-350mW（Ta）150°C（TJ）汽车级AEC-Q101表面贴装型SST3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。