FET、MOSFET 阵列

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系列
-*
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
技术
-MOSFET(金属氧化物)
FET 功能
-逻辑电平门
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制造商零件编号
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包装
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技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
EMT6_EMT6 PKg
EM6J1T2R
MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
10,710
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
8,000 : ¥1.09203
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门20V200mA1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V1V @ 100µA1.4nC @ 4.5V115pF @ 10V150mW150°C(TJ)表面贴装型SOT-563,SOT-666EMT6
MOSFET 2P-CH 20V EMT6
EM6J1T2CR
MOSFET 2P-CH 20V EMT6
Rohm Semiconductor
0
现货
在售
*
卷带(TR)
在售--------------
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。