单 FET,MOSFET
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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0 现货 | 停产 | - | 散装 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 9A(Tc) | 10V | 490 毫欧 @ 9A,10V | 4V @ 250µA | 39 nC @ 10 V | ±20V | - | 4W(Ta),75W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 军用 | MIL-PRF-19500/542 | 通孔 | TO-204AA(TO-3) | TO-204AA,TO-3 | ||
0 现货 | 停产 | - | 散装 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 9A(Tc) | 10V | 490 毫欧 @ 9A,10V | 4V @ 250µA | 39 nC @ 10 V | ±20V | - | 4W(Ta),75W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-204AA | TO-204AA,TO-3 |
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