单 FET,MOSFET

结果 : 37
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerMESH™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.3A(Tc)8A(Tc)8.7A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
800 毫欧 @ 4A,10V850 毫欧 @ 3.5A,10V850 毫欧 @ 4.8A,10V850 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30 nC @ 10 V38 nC @ 10 V39 nC @ 10 V53 nC @ 10 V63 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
527 pF @ 100 V832 pF @ 25 V1018 pF @ 25 V1059 pF @ 25 V1100 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),125W(Tc)125W(Tc)134W(Tc)156W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
I2PAKTO-220TO-220-3TO-220ABTO-263(D2PAK)
封装/外壳
TO-220-3TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
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37结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
IRF840PBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
3,397
现货
1 : ¥15.12000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA63 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF840BPBF
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Vishay Siliconix
5,711
现货
1 : ¥12.11000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8.7A(Tc)10V850 毫欧 @ 4A,10V5V @ 250µA30 nC @ 10 V±30V527 pF @ 100 V-156W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF840APBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
8,763
现货
1 : ¥15.12000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA38 nC @ 10 V±30V1018 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF840PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
3,302
现货
1 : ¥15.12000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA63 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-263AB
IRF840SPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Vishay Siliconix
1,540
现货
1 : ¥16.42000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA63 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRF840LCPBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
5,481
现货
1 : ¥17.24000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA39 nC @ 10 V±30V1100 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-263AB
IRF840ASPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Vishay Siliconix
1,546
现货
1 : ¥19.92000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA38 nC @ 10 V±30V1018 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRF840BPBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Vishay Siliconix
579
现货
1 : ¥10.98000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8.7A(Tc)-850 毫欧 @ 4A,10V5V @ 250µA30 nC @ 10 V±30V527 pF @ 100 V-156W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF840APBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
1,425
现货
1 : ¥15.12000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA38 nC @ 10 V±30V1018 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-263AB
IRF840STRLPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Vishay Siliconix
1,379
现货
1 : ¥22.28000
剪切带(CT)
800 : ¥12.46448
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA63 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRF840ASTRLPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Vishay Siliconix
800
现货
1 : ¥19.92000
剪切带(CT)
800 : ¥11.15576
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA38 nC @ 10 V±30V1018 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IRF840ALPBF
IRF840ALPBF
MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Vishay Siliconix
413
现货
1 : ¥21.79000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA38 nC @ 10 V±30V1018 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔I2PAKTO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
IRF840ALPBF
IRF840LCLPBF
MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Vishay Siliconix
1,987
现货
1 : ¥23.01000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA39 nC @ 10 V±30V1100 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔I2PAKTO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-263AB
IRF840ASTRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Vishay Siliconix
777
现货
1 : ¥24.39000
剪切带(CT)
800 : ¥14.70119
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA38 nC @ 10 V±30V1018 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRF840HPBF
POWER MOSFET TO220AB, 850 M @ 10
Vishay Siliconix
1,007
现货
1 : ¥12.36000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V7.3A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA39 nC @ 10 V±30V1059 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF840LCPBF-BE3
MOSFET N-CHANNEL 500V
Vishay Siliconix
997
现货
1 : ¥17.24000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.16415
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA39 nC @ 10 V±30V1100 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-263AB
IRF840STRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥22.28000
剪切带(CT)
800 : ¥12.46448
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA63 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRF840LCSPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1,000 : ¥11.91298
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA39 nC @ 10 V±30V1100 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRF840LPBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1,000 : ¥12.37419
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA63 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRF840LCSTRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB
Vishay Siliconix
0
现货
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800 : ¥13.91300
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA39 nC @ 10 V±30V1100 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRF840
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA63 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-263AB
IRF840S
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA63 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRF840A
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA38 nC @ 10 V±30V1018 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220ABTO-220-3
TO-263AB
IRF840AS
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA38 nC @ 10 V±30V1018 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IRF840ALPBF
IRF840L
MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V8A(Tc)10V850 毫欧 @ 4.8A,10V4V @ 250µA63 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔I2PAKTO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。