单双极晶体管

结果 : 5
包装
剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）散装
产品状态
停产在售
封装/外壳
E-Line-3E-Line-3，成型引线
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晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
ZTX653
TRANS NPN 100V 2A E-LINE
Diodes Incorporated
2,573
现货
1 : ¥7.14000
散装
-
散装
在售
NPN
2 A
100 V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
-
1 W
175MHz
-55°C ~ 200°C（TJ）
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
ZTX653STZ
TRANS NPN 100V 2A E-LINE
Diodes Incorporated
3,966
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.71754
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
NPN
2 A
100 V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
-
1 W
175MHz
-55°C ~ 200°C（TJ）
通孔
E-Line-3，成型引线
E-Line（TO-92 兼容）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
ZTX653STOA
TRANS NPN 100V 2A E-LINE
Diodes Incorporated
0
现货
16,000 : ¥2.38379
卷带（TR）
-
卷带（TR）
停产
NPN
2 A
100 V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
-
1 W
175MHz
-55°C ~ 200°C（TJ）
通孔
E-Line-3，成型引线
E-Line（TO-92 兼容）
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
ZTX653QSTZ
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,000 : ¥3.23691
带盒（TB）
-
带盒（TB）
在售
NPN
2 A
100 V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
-
1 W
175MHz
-55°C ~ 200°C（TJ）
通孔
E-Line-3，成型引线
E-Line（TO-92 兼容）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
ZTX653STOB
TRANS NPN 100V 2A E-LINE
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
NPN
2 A
100 V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
-
1 W
175MHz
-55°C ~ 200°C（TJ）
通孔
E-Line-3，成型引线
E-Line（TO-92 兼容）
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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。