关键词mosfet
标准
为您共找出"500+"个相关器件
图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image:    RD3H045SP RD3H045SP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -45v -4.5A功率mosfet_rd3h045sp rd3h045sp是一款低导通电阻的功率mosfet,适用于开关。
Image:    RD3G600GN RD3G600GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 40v 60a功率mosfet_rd3g600gn rd3g600gn是一款具有低导通电阻和高功率封装(TO-252)的功率mosfet,适用于开关。
Image:    RD3G500GN RD3G500GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 40v 50a功率mosfet_rd3g500gn rd3g500gn是用于开关应用的低导通电阻mosfet
Image:    RD3G400GN RD3G400GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 40v 40a功率mosfet_rd3g400gn rd3g400gn是一款具有低导通电阻和大功率封装(TO-252)的功率mosfet,适用于开关。
Image:    RAL035P01 RAL035P01 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动pch mosfet_RAL035P01 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image:    RAL025P01 RAL025P01 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动pch mosfet_RAL025P01 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image:    RAF040P01 RAF040P01 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动pch mosfet_RAF040P01 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image:    QS8M51 QS8M51 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 100v nch + pch小信号mosfet_QS8M51 电导率晶体管mosfet。复合各颗pchnch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。
Image:    QS8M31 QS8M31 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 60v nch + pch mosfet_QS8M31 电导率晶体管mosfet。复合各颗pchnch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。
Image:    QS8K21 QS8K21 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动nch + nch mosfet_QS8K21 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image:    QS8K13 QS8K13 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动nch + nch mosfet_QS8K13 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image:    QS8K11 QS8K11 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动nch + nch mosfet_QS8K11 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image:    QS8J5 QS8J5 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动pch + pch mosfet_QS8J5 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image:    QS8J4 QS8J4 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 -30v pch + pch小信号mosfet_QS8J4 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image:    QS8J2 QS8J2 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动pch + pch mosfet_QS8J2 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image:    QS8J13 QS8J13 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 -12v pch + pch中功率mosfet_qs8j13 qs8j13是低导通电阻的中功率mosfet。采用小型表面安装封装,有助于节省空间。
Image:    QS6U24 QS6U24 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动pch + sbd mosfet_QS6U24 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管(sbd)形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image:    QS6U22 QS6U22 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS6U22 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管(sbd)形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image:    QS6M4 QS6M4 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch + pch mosfet_QS6M4 电导率晶体管mosfet。复合各颗pchnch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。
Image:    QS6K21 QS6K21 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch + nch mosfet_QS6K21 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。