关键词mosfet
- 标准
图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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RD3H045SP | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | pch -45v -4.5A功率mosfet_rd3h045sp rd3h045sp是一款低导通电阻的功率mosfet,适用于开关。 | ||
RD3G600GN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 40v 60a功率mosfet_rd3g600gn rd3g600gn是一款具有低导通电阻和高功率封装(TO-252)的功率mosfet,适用于开关。 | ||
RD3G500GN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 40v 50a功率mosfet_rd3g500gn rd3g500gn是用于开关应用的低导通电阻mosfet。 | ||
RD3G400GN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 40v 40a功率mosfet_rd3g400gn rd3g400gn是一款具有低导通电阻和大功率封装(TO-252)的功率mosfet,适用于开关。 | ||
RAL035P01 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.5V驱动pch mosfet_RAL035P01 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
RAL025P01 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.5V驱动pch mosfet_RAL025P01 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
RAF040P01 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.5V驱动pch mosfet_RAF040P01 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS8M51 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 100v nch + pch小信号mosfet_QS8M51 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS8M31 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 60v nch + pch mosfet_QS8M31 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS8K21 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch + nch mosfet_QS8K21 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS8K13 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch + nch mosfet_QS8K13 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS8K11 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch + nch mosfet_QS8K11 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS8J5 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动pch + pch mosfet_QS8J5 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS8J4 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | -30v pch + pch小信号mosfet_QS8J4 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS8J2 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.5V驱动pch + pch mosfet_QS8J2 复合两颗pch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS8J13 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | -12v pch + pch中功率mosfet_qs8j13 qs8j13是低导通电阻的中功率mosfet。采用小型表面安装封装,有助于节省空间。 | ||
QS6U24 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动pch + sbd mosfet_QS6U24 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管(sbd)形成了多种产品线来对应不同的市场需求。 | ||
QS6U22 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS6U22 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管(sbd)形成了多种产品线来对应不同的市场需求。 | ||
QS6M4 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + pch mosfet_QS6M4 电导率晶体管mosfet。复合各颗pch和nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中可应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合材料型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS6K21 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + nch mosfet_QS6K21 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 |