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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image:        RBR40NS40AFH RBR40NS40AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码TO-263sd2pak)套餐(jeita)SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1(t = 4.5)安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]40.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.55中频@正向电压[A]20.0反向电流IR(最大值)[mA]0.43vr @反向电流[V]40储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:        RBR40NS30AFH RBR40NS30AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码TO-263sd2pak)套餐(jeita)SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1(t = 4.5)安装方式表面贴装端子数3vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]40.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.52中频@正向电压[A]20.0反向电流IR(最大值)[mA]0.6vr @反向电流[V]30储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:         RBR3MM60BTF RBR3MM60BTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码sod-123fl套餐(jeita)SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6(t = 0.8)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]30.0正向电压VF(最大)[V]0.61中频@正向电压[A]3.0反向电流IR(最大值)[mA]0.12vr @反向电流[V]60储存温度(最低)[°C]-55
Image:         RBR3L60BDD RBR3L60BDD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码DO-214acsma)包装尺寸[mm]5.0x2.6(t = 2.0)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]50.0正向电压VF(最大)[V]0.56中频@正向电压[A]3.0反向电流IR(最大值)[mA]0.15vr @反向电流[V]60储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:         RBR3L60ADD RBR3L60ADD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码DO-214acsma)包装尺寸[mm]5.0x2.6(t = 2.0)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]40.0正向电压VF(最大)[V]0.66中频@正向电压[A]3.0反向电流IR(最大值)[mA]0.1vr @反向电流[V]60储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:          RBR3L40CDD RBR3L40CDD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码DO-214acsma)包装尺寸[mm]5.0x2.6(t = 2.0)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]50.0正向电压VF(最大)[V]0.55中频@正向电压[A]3.0反向电流IR(最大值)[mA]0.1vr @反向电流[V]40储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:          RBR3L40BDD RBR3L40BDD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码DO-214acsma)包装尺寸[mm]5.0x2.6(t = 2.0)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]40.0正向电压VF(最大)[V]0.62中频@正向电压[A]3.0反向电流IR(最大值)[mA]0.08vr @反向电流[V]40储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:         RBR3L40ADD RBR3L40ADD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码DO-214acsma)包装尺寸[mm]5.0x2.6(t = 2.0)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]30.0正向电压VF(最大)[V]0.69中频@正向电压[A]3.0反向电流IR(最大值)[mA]0.05vr @反向电流[V]40储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:         RBR3L30BDD RBR3L30BDD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码DO-214acsma)包装尺寸[mm]5.0x2.6(t = 2.0)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]40.0正向电压VF(最大)[V]0.53中频@正向电压[A]3.0反向电流IR(最大值)[mA]0.08vr @反向电流[V]30储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:          RBR30NS60AFH RBR30NS60AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码TO-263sd2pak)套餐(jeita)SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1(t = 4.5)安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.67中频@正向电压[A]15.0反向电流IR(最大值)[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:          RBR30NS40AFH RBR30NS40AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码TO-263sd2pak)套餐(jeita)SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1(t = 4.5)安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.62中频@正向电压[A]15.0反向电流IR(最大值)[mA]0.36vr @反向电流[V]40储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:         RBR30NS30AFH RBR30NS30AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码TO-263sd2pak)套餐(jeita)SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1(t = 4.5)安装方式表面贴装端子数3vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.55中频@正向电压[A]15.0反向电流IR(最大值)[mA]0.3vr @反向电流[V]30储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:          RBR2MM60CTF RBR2MM60CTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码sod-123fl套餐(jeita)SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6(t = 0.8)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]30.0正向电压VF(最大)[V]0.55中频@正向电压[A]2.0反向电流IR(最大值)[mA]0.12vr @反向电流[V]60储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:            VS9V0UA1LAMTF VS9V0UA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5(t = 0.95)安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)P PP @ 10 / 1000us(最大)[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]9.0V BR(最小值)[V]10.0V BR(最大)[V]11.1V CL @ I PP 10 / 1000us(最大值)[V]15.4I PP 10x1000us(最大)[A]39.0储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:            VS8V0UA1LAMTF VS8V0UA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5(t = 0.95)安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)P PP @ 10 / 1000us(最大)[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]8.0V BR(最小值)[V]8.89v BR(最大)[V]9.83v CL @ I PP 10 / 1000us(最大值)[V]13.6I PP 10x1000us(最大)[A]44.1储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:            VS7V0UA1LAMTF VS7V0UA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5(t = 0.95)安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)P PP @ 10 / 1000us(最大)[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]7.0V BR(最小值)[V]7.78v BR(最大)[V]8.6V CL @ I PP 10 / 1000us(最大值)[V]12.0I PP 10x1000us(最大)[A]50.0储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:            VS6V0UA1LAMTF VS6V0UA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5(t = 0.95)安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)P PP @ 10 / 1000us(最大)[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]6.0V BR(最小值)[V]6.67v BR(最大)[V]7.37v CL @ I PP 10 / 1000us(最大值)[V]10.3I PP 10x1000us(最大)[A]58.3储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:            VS5V0UA1LAMTF VS5V0UA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5(t = 0.95)安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)P PP @ 10 / 1000us(最大)[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]5.0V BR(最小值)[V]6.45v BR(最大)[V]7.14v CL @ I PP 10 / 1000us(最大值)[V]10.5I PP 10x1000us(最大)[A]57.0储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:            VS30VUA1LAMTF VS30VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 型号| vs30vua1lamtftr 状态| 推荐品 封装| pmdtm 包装数量| 3000 最小独立包装数量| 3000 包装形态| 编带 rohs | 是 特性: 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5(t = 0.95)安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)P PP @ 10 / 1000us(最大)[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]30.0V BR(最小值)[V]33.3V BR(最大)[V]36.8V CL @ I PP 10 / 1000us(最大值)[V]48.4I PP 10x1000us(最大)[A]12.4储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:           VS28VUA1LAMTF VS28VUA1LAMTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 包装代码sod-128包装尺寸4.7x2.5(t = 0.95)安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)P PP @ 10 / 1000us(最大)[W]600组态单保护线数1个V rwm [V]28.0V BR(最小值)[V]31.1V BR(最大)[V]34.4V CL @ I PP 10 / 1000us(最大值)[V]45.4I PP 10x1000us(最大)[A]13.2储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150