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Image: SM6F22AY SM6F22AY STMicroelectronics 电路保护 静电控制服 sm6fy系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和iso 10605规定的静电放电的影响。 平面技术使其与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。
Image: SM6F20AY SM6F20AY STMicroelectronics 电路保护 静电控制服 sm6fy系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和iso 10605规定的静电放电的影响。 平面技术使其与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。
Image: SM6F18AY SM6F18AY STMicroelectronics 电路保护 静电控制服 sm6fy系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和iso 10605规定的静电放电的影响。 平面技术使其与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。
Image: SM6F16AY SM6F16AY STMicroelectronics 电路保护 静电控制服 sm6fy系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和iso 10605规定的静电放电的影响。 平面技术使其与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。
Image: SM6F15AY SM6F15AY STMicroelectronics 电路保护 静电控制服 sm6fy系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和iso 10605规定的静电放电的影响。 平面技术使其与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。
Image: SM6F14AY SM6F14AY STMicroelectronics 电路保护 静电控制服 sm6fy系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和iso 10605规定的静电放电的影响。 平面技术使其与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。
Image: SM6F13AY SM6F13AY STMicroelectronics 电路保护 静电控制服 sm6fy系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和iso 10605规定的静电放电的影响。 平面技术使其与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。
Image: SM6F12AY SM6F12AY STMicroelectronics 电路保护 静电控制服 sm6fy系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和iso 10605规定的静电放电的影响。
Image: SM6F11AY SM6F11AY STMicroelectronics 电路保护 静电控制服 sm6fy系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和iso 10605规定的静电放电的影响。
Image: ESDCAN03-2BM3Y ESDCAN03-2BM3Y STMicroelectronics 电路保护 浪涌抑制器 aec-q101 qualified dual-line esd and eos protection triggering voltage, vtrig min = 28 V qfn-3L 1.1 x 1.0 x 0.55 package also called dfn1110 bidirectional device max pulse power up to 3.3 A (8/20 μs) low clamping factor vcl / vbr low leakage current ecopack2 rohs compliant component ul94, V0 J-std-020 msl level 1 ipc7531 footprint and jedec registered package iso 16750-2 (jump start and reversed battery tests) iso 10605 / iec 61000-4-2- C = 150 pF, R = 330 Ω, exceeds level 4: ±15 kV (contact discharge) iso 10605 - C = 330 pF, R = 2 kΩ: ±30 kV (contact discharge) iso 10605 - C = 330 pF, R = 330 Ω: ±12 kV (contact discharge) iso 7637-3: pulse 3a: -150 V pulse 3b: +150 V pulse 2a: +/- 85 V
Image: SMA6T18CAY SMA6T18CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T22AY SMA6T22AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T22CAY SMA6T22CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T24AY SMA6T24AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T28AY SMA6T28AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T28CAY SMA6T28CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T30AY SMA6T30AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T47AY SMA6T47AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T47CAY SMA6T47CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T56AY SMA6T56AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

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