关键词transil
标准
为您共找出"500+"个相关器件
图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: BZW04-20B BZW04-20B STMicroelectronics transil diode for high overvoltage protection(400w、用于过电压保护的transil二极管(双向))
Image: SMA6T18CAY SMA6T18CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T22AY SMA6T22AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T22CAY SMA6T22CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T24AY SMA6T24AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T28AY SMA6T28AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T28CAY SMA6T28CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T30AY SMA6T30AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T47AY SMA6T47AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T47CAY SMA6T47CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T56AY SMA6T56AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMBJ100A-TR SMBJ100A-TR STMicroelectronics transiltm
Image: SMBJ188CA-TR SMBJ188CA-TR STMicroelectronics transiltm
Image: BZW50-10B BZW50-10B STMicroelectronics transiltm
Image: BZW50-12 BZW50-12 STMicroelectronics 半导体 transiltm
Image: BZW50-120 BZW50-120 STMicroelectronics 半导体 transiltm
Image: BZW50-18B BZW50-18B STMicroelectronics transiltm
Image: BZW50-47 BZW50-47 STMicroelectronics 半导体 transiltm
Image: SMAJ100CA-TR SMAJ100CA-TR STMicroelectronics transiltm
Image: SMAJ50CA-TR SMAJ50CA-TR STMicroelectronics transiltm

©2000-  21IC电子网版权所有

京ICP备11013301号 京公网安备 11010802024343号