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器件类型半导体
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Image: STM32F302RD STM32F302RD STMicroelectronics 半导体 微控制器 stm32f302xd/E系列基于高性能arm®cortex®-M4 32位risc内核，fpu工作频率为72 mhz，并嵌入浮点单元（fpu）、内存保护单元（mpu）和嵌入式跟踪宏单元（etm）。该系列包括高速嵌入式存储器（512千字节闪存、64千字节sram）、用于静态存储器（sram、Psram、nor和nand）的灵活内存控制器（fsmc），以及连接到ahb和两条apb总线的大量增强I/O和外围设备。
Image: STM32F303RE STM32F303RE STMicroelectronics 半导体 微控制器 stm32f303xd/E系列基于高性能arm®cortex®-M4 32位risc内核，fpu工作频率为72 mhz，并嵌入浮点单元（fpu）、内存保护单元（mpu）和嵌入式跟踪宏单元（etm）。该系列集成了高速嵌入式存储器（512千字节闪存、80千字节sram）、用于静态存储器（sram、Psram、nor和nand）的灵活内存控制器（fsmc），以及连接到ahb和两条apb总线的大量增强I/O和外围设备。
Image: STM32G031K4 STM32G031K4 STMicroelectronics 半导体 微控制器 基于32位risg0-32处理器的32位risg0-cortex®微处理器，在64兆赫的频率下运行。它们具有高度的集成度，适用于消费、工业和家电领域的广泛应用，并为物联网（iot）解决方案做好准备。
Image: STM32G070KB STM32G070KB STMicroelectronics 半导体 微控制器 stm32g070cb/KB/RB主流微控制器基于高性能arm®cortex®-M0+32位risc内核，工作频率高达64 mhz。它们具有高度的集成度，适用于消费、工业和家电领域的广泛应用，并为物联网（iot）解决方案做好准备。
Image: STM32G071C8 STM32G071C8 STMicroelectronics 半导体 微控制器 stm32g071x8/xB主流微控制器基于高性能arm®cortex®-M0+32位risc内核，工作频率高达64 mhz。它们具有高度的集成度，适用于消费、工业和家电领域的广泛应用，并为物联网（iot）解决方案做好准备。
Image: STM32G071KB STM32G071KB STMicroelectronics 半导体 微控制器 这些设备包括一个内存保护单元（mpu）、高速嵌入式存储器（高达128千字节的闪存程序存储器，具有读保护、写保护、专有代码保护和安全区域，以及36千字节的sram）、dma和广泛的系统功能、增强的I/O和外围设备。这些设备提供标准的通信接口（两个i2c、两个spi/一个i2s、一个hdmi cec和四个usart）、一个12位adc（2.5 msps）和最多19个通道、一个12位dac和两个快速比较器、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗rtc、一个以两倍cpu频率运行的高级控制pwm定时器，五个通用16位定时器，其中一个以两倍cpu频率运行，一个32位通用定时器，两个基本定时器，两个低功耗16位定时器，两个看门狗定时器和一个systick定时器。stm32g071x8/xB设备提供完全集成的usb type-C电源传输控制器。
Image: STM32G081RB STM32G081RB STMicroelectronics 半导体 微控制器 这些设备包括一个内存保护单元（mpu）、高速嵌入式存储器（128千字节的闪存程序存储器，具有读保护、写保护、专有代码保护和安全区域，以及36千字节的sram）、dma和广泛的系统功能、增强的I/O和外围设备。这些设备提供标准的通信接口（两个i2c、两个spi/一个i2s、一个hdmi cec和四个usart）、一个12位adc（2.5 msps）和最多19个通道、一个12位dac和两个快速比较器、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗rtc、一个以两倍cpu频率运行的高级控制pwm定时器，五个通用16位定时器，其中一个以两倍cpu频率运行，一个32位通用定时器，两个基本定时器，两个低功耗16位定时器，两个看门狗定时器和一个systick定时器。stm32g081xb设备提供完全集成的usb type-C电源传输控制器。
Image: STM32G431RB STM32G431RB STMicroelectronics 半导体 微控制器 核心：带fpu的arm®32位cortex®-M4 cpu，自适应实时加速器（art加速器），允许从闪存执行0等待状态，频率高达170 mhz，带有213个dmip、mpu、dsp指令 操作条件： vdd，vddA电压范围：1.71 V至3.6 V 数学硬件加速器 三角函数加速cordic 过滤数学加速器 回忆 128 KB闪存，支持ecc，专有代码读取保护（pcrop），安全存储区，1 KB otp 22 KB的sram，在前16 KB上执行硬件奇偶校验 常规增强器：指令和数据总线上的10 KB sram，带硬件奇偶校验（ccm sram） 重置和供应管理 上电/断电复位（por/pdr/bor） 可编程电压检测器（pvd） 低功耗模式：休眠、停止、待机和关机 用于rtc和备份寄存器的vbat电源 时钟管理 4～48mhz晶体振荡器 带校准的32 khz振荡器 内部16 mhz RC，带pll选项（±1%） 内部32 khz RC振荡器（±5%） 多达86个快速I/O 所有可映射到外部中断向量 多个具有5V容错能力的I/O 互连矩阵 12通道dma控制器 2个0.25µs的adc（最多23个通道）。分辨率高达16位，硬件过采样，0至3.6 V转换范围 4 x 12位dac通道 2个缓冲外部信道1 msps 2 x无缓冲内部通道15 msps 4 x超快轨对轨模拟比较器 3个运算放大器，可在pga模式下使用，所有终端均可使用 支持三个输出电压（2.048 V、2.5 V、2.95 V）的内部电压参考缓冲器（vrefbuf） 14定时器： 1 x 32位定时器和2 x 16位定时器，最多4个IC/OC/pwm或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入 2 x 16位8通道高级电机控制定时器，最多8个pwm通道，死区时间生成和紧急停止 1 x 16位定时器，带2个IC/ocs，一个ocn/pwm，死区生成和紧急停止
Image: STM32G473MC STM32G473MC STMicroelectronics 半导体 微控制器 核心：带fpu的arm®32位cortex®-M4 cpu，自适应实时加速器（art加速器），允许从闪存执行0等待状态，频率高达170 mhz，带有213个dmip、mpu、dsp指令 操作条件： vdd，vddA电压范围：1.71 V至3.6 V 数学硬件加速器 三角函数加速cordic 过滤数学加速器 回忆 512 KB的闪存，支持ecc，两组读写，专有代码读取保护（pcrop），安全存储区，1 KB otp 96 KB的sram，在前32 KB上执行硬件奇偶校验 常规增强器：指令和数据总线上的32 KB sram，带硬件奇偶校验（ccm sram） 用于静态存储器的外部存储器接口fsmc支持sram、Psram、nor和nand存储器 四spi内存接口 重置和供应管理 上电/断电复位（por/pdr/bor） 可编程电压检测器（pvd） 低功耗模式：休眠、停止、待机和关机 用于rtc和备份寄存器的vbat电源 时钟管理 4～48mhz晶体振荡器 带校准的32 khz振荡器 内部16 mhz RC，带pll选项（±1%） 内部32 khz RC振荡器（±5%） 多达107个快速I/O 所有可映射到外部中断向量 多个具有5V容错能力的I/O 互连矩阵 16通道dma控制器 5 x 12位adc 0.25µs，最多42个通道。分辨率高达16位，硬件过采样，0至3.6 V转换范围 7 x 12位dac通道 3个缓冲外部信道1 msps 4 x无缓冲内部通道15 msps 7 x超快轨对轨模拟比较器 6 x运算放大器，可在pga模式下使用，所有终端均可使用 支持三个输出电压（2.048 V、2.5 V、2.95 V）的内部电压参考缓冲器（vrefbuf） 1617计时器： 2 x 32位定时器和2 x 16位定时器，最多4个IC/OC/pwm或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入 3 x 16位8通道高级电机控制定时器，最多8个pwm通道，死区时间生成和紧急停止 1 x 16位定时器，带2个IC/ocs，一个ocn/pwm，死区生成和紧急停止 2 x 16位定时器，带IC/OC/ocn/pwm，死区生成和紧急停止 2个看门狗定时器（独立，窗口） 1 x systick定时器：24位下行计数器 2 x 16位基本计时器 1 x低功耗定时器
Image: STM32G473ME STM32G473ME STMicroelectronics 半导体 微控制器 核心：带fpu的arm®32位cortex®-M4 cpu，自适应实时加速器（art加速器），允许从闪存执行0等待状态，频率高达170 mhz，带有213个dmip、mpu、dsp指令 操作条件： vdd，vddA电压范围：1.71 V至3.6 V 数学硬件加速器 三角函数加速cordic 过滤数学加速器 回忆 512 KB的闪存，支持ecc，两组读写，专有代码读取保护（pcrop），安全存储区，1 KB otp 96 KB的sram，在前32 KB上执行硬件奇偶校验 常规增强器：指令和数据总线上的32 KB sram，带硬件奇偶校验（ccm sram） 用于静态存储器的外部存储器接口fsmc支持sram、Psram、nor和nand存储器 四spi内存接口 重置和供应管理 上电/断电复位（por/pdr/bor） 可编程电压检测器（pvd） 低功耗模式：休眠、停止、待机和关机 用于rtc和备份寄存器的vbat电源 时钟管理 4～48mhz晶体振荡器 带校准的32 khz振荡器 内部16 mhz RC，带pll选项（±1%） 内部32 khz RC振荡器（±5%） 多达107个快速I/O 所有可映射到外部中断向量 多个具有5V容错能力的I/O 互连矩阵 16通道dma控制器 5 x 12位adc 0.25µs，最多42个通道。分辨率高达16位，硬件过采样，0至3.6 V转换范围 7 x 12位dac通道 3个缓冲外部信道1 msps 4 x无缓冲内部通道15 msps 7 x超快轨对轨模拟比较器 6 x运算放大器，可在pga模式下使用，所有终端均可使用 支持三个输出电压（2.048 V、2.5 V、2.95 V）的内部电压参考缓冲器（vrefbuf） 1617计时器： 2 x 32位定时器和2 x 16位定时器，最多4个IC/OC/pwm或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入 3 x 16位8通道高级电机控制定时器，最多8个pwm通道，死区时间生成和紧急停止 1 x 16位定时器，带2个IC/ocs，一个ocn/pwm，死区生成和紧急停止 2 x 16位定时器，带IC/OC/ocn/pwm，死区生成和紧急停止 2个看门狗定时器（独立，窗口） 1 x systick定时器：24位下行计数器 2 x 16位基本计时器 1 x低功耗定时器
Image: STM32F030C6 STM32F030C6 STMicroelectronics 半导体 微控制器 stm32f030x4/x6/x8/xC微控制器集成了高性能arm®cortex®-M0 32位risc内核、高速嵌入式内存（高达256千字节的闪存和高达32千字节的sram），以及广泛的增强型外设和I/O。所有设备都提供标准通信接口（最多两个i2c、最多两个spi和最多六个usart）、一个12位adc、七个通用16位定时器和一个高级控制pwm定时器。
Image: STM32F030C8 STM32F030C8 STMicroelectronics 半导体 微控制器 stm32f030x4/x6/x8/xC微控制器集成了高性能arm®cortex®-M0 32位risc内核、高速嵌入式内存（高达256千字节的闪存和高达32千字节的sram），以及广泛的增强型外设和I/O。所有设备都提供标准通信接口（最多两个i2c、最多两个spi和最多六个usart）、一个12位adc、七个通用16位定时器和一个高级控制pwm定时器。
Image: STM32F030CC STM32F030CC STMicroelectronics 半导体 微控制器 stm32f030x4/x6/x8/xC微控制器集成了高性能arm®cortex®-M0 32位risc内核、高速嵌入式内存（高达256千字节的闪存和高达32千字节的sram），以及广泛的增强型外设和I/O。所有设备都提供标准通信接口（最多两个i2c、最多两个spi和最多六个usart）、一个12位adc、七个通用16位定时器和一个高级控制pwm定时器。
Image: STM32F030F4 STM32F030F4 STMicroelectronics 半导体 微控制器 stm32f030x4/x6/x8/xC微控制器集成了高性能arm®cortex®-M0 32位risc内核、高速嵌入式内存（高达256千字节的闪存和高达32千字节的sram），以及广泛的增强型外设和I/O。所有设备都提供标准通信接口（最多两个i2c、最多两个spi和最多六个usart）、一个12位adc、七个通用16位定时器和一个高级控制pwm定时器。
Image: STM32F030K6 STM32F030K6 STMicroelectronics 半导体 微控制器 stm32f030x4/x6/x8/xC微控制器集成了高性能arm®cortex®-M0 32位risc内核、高速嵌入式内存（高达256千字节的闪存和高达32千字节的sram），以及广泛的增强型外设和I/O。所有设备都提供标准通信接口（最多两个i2c、最多两个spi和最多六个usart）、一个12位adc、七个通用16位定时器和一个高级控制pwm定时器。
Image: S12XA S12XA NXP Semiconductors 半导体 微控制器 s12x mcu系列保留了现有16位hcs12 mcu系列用户当前享有的成本效益，功耗，电磁兼容性和代码大小效率优势。 s12x系列基于增强的hcs12内核，性能是25 mhz hcs12的2至5倍，同时保持了与hcs12的高度引脚和代码兼容性。 s12x系列引入了提高性能的xgate模块。通过使用增强的dma功能，该并行处理模块通过提供高速数据处理以及在外围模块，ram和I / O端口之间进行传输来减轻cpu的负担。
Image: S12Q S12Q NXP Semiconductors 半导体 微控制器 MC9s12Q是一款汽车mcu，具有高达128 KB的嵌入式闪存，为全新的成本敏感型和空间受限型应用提供了16位标准s12内核的强大功能和灵活性。 所有家族成员均具有完整的16位数据路径。 包含锁相环（pll）电路可让您调整功耗和性能以适应操作要求。 除了每个模块中可用的I / O端口外，最多还有10个专用I / O端口位可用于从停止或等待模式唤醒
Image: S12P S12P NXP Semiconductors 半导体 微控制器 s12p系列can微控制器（mcu）是车身控制应用的理想选择，与8位mcu相比，具有16位性能的增强功能。 s12p系列弥补了8位和16位汽车can mcu之间的空白，并成为nxp 16位系列产品的切入点。 s12p与s12xs系列兼容且可扩展，允许客户为其应用程序提供一系列较小尺寸的存储器和功能集选项。 该系列包括四款器件，这些器件提供一系列程序和数据闪存大小，以及纠错码（ecc），ram，MScan模块和封装选项，范围从48到80引脚不等。
Image: S12NE S12NE NXP Semiconductors 半导体 微控制器 mc9s12ne64是具有成本效益的112引脚/ 80引脚低端连接应用mcu系列。mc9s12ne64由标准的片上外围设备组成，包括16位中央处理器（hcs12 cpu），64k字节的flash eeprom，8K字节的ram，具有集成的10/100 mbps以太网物理收发器的以太网媒体访问控制器（emac） （ephy），两个异步串行通信接口模块（sci），一个串行外围设备接口（spi），一个IC间总线（iic），一个4通道/ 16位定时器模块（tim），一个8通道/ 10位模数转换器（atd），多达21个引脚可用作键盘唤醒输入（kwu），以及两个附加的外部异步中断。包含pll电路可以调整功耗和性能，以适应操作要求。此外，一个基于带隙的片上稳压器（vreg_phy）在3.15 V至3.45 V的外部电源范围内产生2.5 V（vdd）的内部数字电源电压。mc9s12ne64始终具有完整的16位数据路径。112引脚封装版本共有70个I / O端口引脚和10个仅输入引脚。80引脚封装版本共有38个I / O端口引脚和10个仅输入引脚。 为了快速开发应用程序，mc9s12ne64演示板包括适用于hcs12（X）微控制器的codewarrior™development studio，特别版。通过特殊版，设计人员可以开发，编译，链接和调试大小最大为32k的应用程序。处理器专家®。它集成在codewarrior工具中，提供了经过全面调试的外围设备驱动程序，库和接口，使程序员可以创建唯一的C应用程序代码。
Image: S12K S12K NXP Semiconductors 半导体 微控制器 针对超高可靠性系统，mc9s12k mcu是一种16位设备，在产品的整个使用寿命中具有更高的可靠性。 改进归功于闪存中内置的错误检查和纠正代码（ecc）。编程和擦除操作会在每个工作中自动生成六个奇偶校验位，从而使ecc对您透明。ecc逻辑实现了一种经过修改的汉明代码，该代码能够纠正单个位故障并检测每个字中的双位故障。 mc9s12k由标准的片上外设组成，并保持与mc9s12d系列的引脚兼容性。

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