|   | X-CUBE-USBPDM1 | STMicroelectronics |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 | tcpp01-m12上X-nucleo-usbPDM1 usb type-C供电sink参考设计的二进制文件 | 
    |   | MSM56V16161N | Rohm Semiconductor |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 | msm56v16161n是采用硅栅cmos技术制造的2组×524,288字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 | 
    |   | MD56V62161M | Rohm Semiconductor |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 | md56v62161m是采用硅栅cmos技术制造的4排1,048,576字的16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。  数据表 | 
    |   | MD56V72161C | Rohm Semiconductor |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 | md56v72161c是采用硅栅cmos技术制造的4组×2097152字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。  数 | 
    |   | MD56V82161A | Rohm Semiconductor |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 | md56v82161a是采用硅栅cmos技术制造的4组×4,194,304字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 | 
    |   | MSM56V16161NP | Rohm Semiconductor |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 | msm56v16161n是采用硅栅cmos技术制造的2组×524,288字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 数 | 
    |   | MD56V62161M-xxTAP | Rohm Semiconductor |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 | md56v62161m是采用硅栅cmos技术制造的4排1,048,576字的16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 | 
    |   | MD56V72161C-xxTAP | Rohm Semiconductor |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 | md56v72161c是采用硅栅cmos技术制造的4组×2097152字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 | 
    |   | MD56V82161A-xxTAP | Rohm Semiconductor |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 | md56v82161a是采用硅栅cmos技术制造的4组×4,194,304字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。  数据表 | 
    |   | MD60S1G160A-xxLAP7AL | Rohm Semiconductor |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 |  | 
    |   | BA10324AF | Rohm Semiconductor |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 |  | 
    |   | VN7000AY | STMicroelectronics |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 | 具有multisense模拟反馈的高端驱动器,用于汽车应用 | 
    |   | X-NUCLEO-AMICAM1 | STMicroelectronics |  | 半导体
        
        基于ARM处理器平台 | 基于stm32 nucleo的基于mp23abs1的模拟mems麦克风扩展板 |