|
2SC2713-GRTE85LF |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt npn 0.1A IC 120v gen purp trans |
|
RN1441ATE85LF |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
transistors switching - resistor biased brt npn single 300ma IC 20v vceo |
|
SSM6N15FE(TE85L,F) |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
mosfet dual N-ch 30v 0.1A |
|
2SA1587GRTE85LF |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt pnp trans -0.1A LN -120v vceo |
|
CBS05F30(TPL3) |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
schottky diodes & rectifiers small sig schottky 0.5A 30v 0.45vf |
|
1SS314TPH3F |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
pin diodes vhf tuner switch 30v Vr 100ma IF |
|
HN1D03FTE85LF |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching switching diode 4 circuit 0.1A 80v |
|
SSM6J215FE(TE85L,F |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
mosfet P-Ch U-mos VI fet ID -3.4A -20v 630pf |
|
SSM3K15AFS,LF |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
mosFET SM sig N-CH mos 30v 0.1A 20v vgss |
|
1SV322(TPH3,F) |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
varactor diodes var cap 10v Vr 29.5 pF 0.4 ohm |
|
HN1C03FU-B(TE85L,F |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
transistors bipolar - bjt dual trans npn x 2 20v, 0.3A, us6 |
|
2SC5087R(TE85L,F) |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
transistors RF bipolar RF device vhf/uhf 12v 150mw 13.5db |
|
DF6D7M1N,LF |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
tvs diode arrays esd 0.3pf 0.5ua 6V vbr 1ma diode |
|
DF10G7M1N,LF |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
tvs diode arrays esd 0.3pf 0.5ua 6V vbr 1ma diode |
|
1SS306TE85LF |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 0.1A 200v switching high-speed diode |
|
SSM3K335R,LF |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
MOSfet N-Ch U-mosvi fet ID 6A 30vdss 340pf |
|
SSM3J334R,LF |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
MOSfet P-Ch U-mosvi fet ID -4A -30vdss 280pf |
|
SSM6J213FE(TE85L,F |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
mosfet P-Ch U-mos VI fet ID -2.6A -20v 290pf |
|
SSM3J331R,LF |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
MOSfet P-Ch U-mosvi fet ID -4A -20vdss 630pf |
|
1SS393SU,LF |
Toshiba |
 |
半导体
分离式半导体
|
schottky diodes & rectifiers SM sig schotky diode 40 VR 0.1A 2 circuit |