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关键词LM5113
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    Image: LM5113-Q1 LM5113-Q1 Texas Instruments lm5113-Q1 automotive 90-V, 1.2-A, 5-A, half bridge gan driver datasheet (rev. B)
    Image: LM5113 LM5113 Texas Instruments 半导体 5A, 100v half-bridge gate driver for enhancement mode gan fets 12-dsbga
    Image: LM5113-Q1 LM5113-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 符合汽车应用 标准 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 1C 器件带电器件模型 (cdm) esd 分类等级 C6 独立的高侧和低侧ttl 逻辑输入 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力 高侧浮动偏置电压轨 工作电压高达 100vdc 内部自举电源电压钳位 分离输出实现可调的 开通和关断应力 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻 快速传播时间（典型值为 28ns） 优异的传播延迟 （典型值为 1.5ns) 电源轨欠压锁定 低功耗
    Image: LM5113-Q1 LM5113-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 符合汽车应用 标准 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 1C 器件带电器件模型 (cdm) esd 分类等级 C6 独立的高侧和低侧ttl 逻辑输入 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力 高侧浮动偏置电压轨 工作电压高达 100vdc 内部自举电源电压钳位 分离输出实现可调的 开通和关断应力 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻 快速传播时间（典型值为 28ns） 优异的传播延迟 （典型值为 1.5ns) 电源轨欠压锁定 低功耗
    Image: LM5113SD/NOPB LM5113SD/NOPB Texas Instruments 半导体 集成电路 - IC gate drivers 5A,100v half-bridge gate driver
    Image: LM5113TME/NOPB LM5113TME/NOPB Texas Instruments 半导体 集成电路 - IC gate drivers 5A 100v half-brdg gate dvr
    Image: LM5113SDE/NOPB LM5113SDE/NOPB Texas Instruments 半导体 集成电路 - IC gate drivers 5A,100v half-bridge gate driver
    Image: LM5113SDX/NOPB LM5113SDX/NOPB Texas Instruments 半导体 集成电路 - IC gate drivers 5A,100v half-bridge gate driver
    Image: LM5113TMX/NOPB LM5113TMX/NOPB Texas Instruments 半导体 集成电路 - IC gate drivers 5A 100v half-brdg gate dvr
    Image: LM5113LLPEVB/NOPB LM5113LLPEVB/NOPB Texas Instruments 嵌入式解决方案 工程工具 power management IC development tools lm5113 eval brd
    Image: LM5113QDPRRQ1 LM5113QDPRRQ1 Texas Instruments lm5113-Q1 automotive 90-V, 1.2-A, 5-A, half bridge gan driver datasheet (rev. B)

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