描述：该器件是采用 stripfettmh6技术研制的 n 沟道功率 mosfet，具有一种新的沟道栅结构。这种功率 mosfet 在所有容器中都表现出非常低的 rd (on)。 aec-q101质量的非常低的通电阻非常低的栅极极高雪崩耐用度低栅极驱动功率损耗逻辑水平可湿性侧翼封装

描述：描述 该器件是采用STripFET™H6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。最终的功率MOSFET在所有封装中的R DS（on）都非常低。 所有功能 导通电阻很低 极低的栅极电荷 高雪崩强度 低栅极驱动功率损耗

描述：描述 该器件是使用意法半导体的STripFET™V技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现非常低的导通电阻，从而使FOM成为同类产品中最好的。 所有功能 开关栅极电荷极低 极低的热阻 传导损耗减少 减少开关损耗 2.5 V栅极驱动 阈值极低的设备

描述：这个器件是一个 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfetTM h 5技术开发。该装置经过优化以实现非常低的通态电阻，从而使 fom 在同类产品中名列前茅。 aec-q101质量低通态电阻 r ds (on)高雪崩加固/低栅极驱动电源可损耗的侧翼封装

描述：这个器件是一个双 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettmh 5技术开发。该设备已经优化，以实现非常低的通态电阻，有助于一个最好的 fom，其中在同类。设计用于汽车应用和 aec-q101限定逻辑级别 v gs (th)175 ° c 最大结温度可湿性侧面包装

描述：描述 该器件是使用意法半导体的STripFET™H5技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现非常低的导通电阻，从而使FoM成为同类产品中最好的。 所有功能 专为汽车应用而设计，且符合AEC-Q101标准 低导通电阻 高雪崩强度 低栅极驱动功率损耗 可湿的侧面包装

描述：描述 该器件是使用意法半导体的STripFET H5技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现非常低的导通电阻，从而使FoM成为同类产品中最好的。 所有功能 低导通电阻R DS（on） 高雪崩强度 低栅极驱动功率损耗

描述：这个器件是一个 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfetTM h 5技术开发。该装置经过优化，实现了非常低的通态电阻，从而使 fom 在同类产品中名列前茅。 aec-q101质量低通态电阻高雪崩加固/低栅极驱动功率损耗可控侧翼封装

描述：101合格的非常低的开启阻力非常低的闸极负荷高雪崩加固低闸极驱动功率损耗逻辑水平可湿性侧翼组件

描述：描述 该器件是使用STripFET™H6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。最终的功率MOSFET在所有封装中的R DS（on）都非常低。 所有功能 导通电阻很低 极低的栅极电荷 高雪崩强度 低栅极驱动功率损耗

描述：描述 该器件是使用意法半导体的STripFET™V技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现非常低的导通电阻，从而使FOM成为同类产品中最好的。 所有功能 R DS（on） * Q g行业基准 极低的导通电阻R DS（on） 开关栅极电荷极低 高雪崩强度 栅极驱动功率损耗低

描述：描述 该功率MOSFET是意法半导体（STMicroelectronics）独特的“单特征尺寸”带状工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的堆积密度，从而具有低导通电阻，坚固的雪崩特性和较少关键的对准步骤，从而可实现出色的制造可重复性。 所有功能 针对高开关操作进行了优化 低栅极电荷 逻辑电平门驱动

描述：这种器件是一种 n 通道增强模式功率 mosfet，采用意法半导体的 stripfetTM iii 技术生产，专门设计用于最小化导通电阻和栅极电荷，以提供卓越的开关性能。设计用于汽车应用和 aec-q101限定的传导损耗，减少低外形，非常低的寄生电感，大电流封装

描述：描述 该产品是一种N沟道功率MOSFET，它采用了ST专有的STripFET™技术的第六代设计规则，并具有新的栅极结构。在所有封装中，最终的功率MOSFET的R DS（on）最低。 所有功能 R DS（on） * Q g行业基准 极低的导通电阻R DS（on） 高雪崩强度 栅极驱动功率损耗低

描述：描述 这种STripFET ?? V功率MOSFET技术是最新的改进之一，这些技术经过特别定制以实现极低的导通状态电阻，这也是同类产品中最佳的FOM（品质因数）之一。 所有功能 R DS（on） * Q g行业基准 高雪崩强度 极低的导通电阻R DS（on） 栅极驱动功率损耗低

描述：AEC-Q100认证正在进行中 同时多星座 Teseo航位推算汽车道固件 -163 dBm灵敏度跟踪 1.5m CEP精度定位 用于固件升级的嵌入式闪存 汽车GNSS与六轴惯性传感器 3.3 V电源电压 LCC 24针封装（16.0毫米x 12.2毫米x 2.42毫米） 工作温度（从-40°C到+85°（三） 免费固件配置 17μ备用电流

描述：同步多星座 Teseo死计算汽车通道固件 -163 dBm灵敏度跟踪 1.5m CEP精度定位 嵌入式Flash for FW升级 GNSS和6轴惯性传感器 3.3 V电源电压 LCC 24针组件（16.0 mm x 12.2 mm x 2.42 mm） 工作温度（从-40开始°C至+85°（三） 免费固件配置 17μ备用电流

描述：同时多星座 -163 dBm跟踪灵敏度 1.5 m CEP位置精度 嵌入式闪存，用于数据日志和FW升级 VCC/VBAT电源电压范围：1.75 V至4.2 V VCC IO 1.8 V和3.3 V 微型LCC 18针封装（9.7x10.1） 工作温度范围宽（从-40°至85°（三） 免费固件配置 17.7. μ备用电流和82.7MW跟踪功耗

描述：同时多星座 -163 dBm跟踪灵敏度 1.5 m CEP位置精度 2.1 V至4.3 V电源电压范围 微型LCC 18针封装（9.7x10.1） 工作温度（-40°C、 85个°（三） 17μW备用电流和70MW跟踪功耗

描述：同时多星座 -163 dBm导航灵敏度 1.5m CEP精度定位 用于数据记录和固件升级的16mbit嵌入式闪存 2.1 V至4.3 V电源电压范围 微型LCC 18针封装（9.7x10.1） 工作温度（-40°, 85°（三） 免费固件配置 17μW备用电流和75MW跟踪功耗

描述：STMicroelectronics定位接收机，具有48个跟踪通道和2个支持GPS、Galileo、GLONASS、北斗和QZS系统的快速采集通道 单芯片独立接收机嵌入射频前端和低噪声放大器 -162 dBm室内灵敏度（跟踪模式） 热启动时快速TTFF<1 s，冷启动时快速TTFF<30 s 高性能ARM946 MCU（高达196 MHz） 256 KB嵌入式SRAM 包内SQI闪存（16或32 Mbit） 实时时钟（RTC）电路 32位看门狗定时器 3 UART 1 I2C主接口 1个同步串行端口（SSP，支持摩托罗拉SPI） USB2.0全速（12 MHz），配有集成物理层收发器 2控制器局域网（CAN） 2通道ADC（10位） 1个安全数字多媒体存储卡接口（SDMMC） 1个多通道串行端口（MSP） 电源管理单元（PMU）嵌入开关调节器 工作条件： 主电压调节器（VINL）：1.6V至4.3V 备用电压（VINB）：1.6V至4.3V 数字电压（VDD）：1.0 V至1.32 V 射频核心电压（VCC）：1.2 V± 10% IO环电压（VddIO）：1.8 V± 5%或3.3 V± 10% 包裹： TFBGA99（5 x 6 x 1.2 mm）0.5 mm间距 工作温度范围：-40/+85°C级

描述：AEC-Q100合格 STMicroelectronics定位接收机，具有48个跟踪通道和2个支持GPS、Galileo、GLONASS、北斗和QZS系统的快速采集通道 ST-DRAW（ST死计算汽车道路）支撑（仅限STA8090EXGAD） 单芯片独立接收机嵌入射频前端和低噪声放大器 -162 dBm室内灵敏度（跟踪模式） 热启动时快速TTFF<1 s，冷启动时快速TTFF<30 s 高性能ARM946 MCU（高达196 MHz） 256 KB嵌入式SRAM FSMC外部内存接口（NOR和SRAM） 外部SQI闪存接口 8个自由运行计时器/计数器（32位） 实时时钟（RTC）电路 32位看门狗定时器 3 UART 1 I2C主接口 1个同步串行端口（SSP，支持摩托罗拉SPI） USB2.0全速（12 MHz），配有集成物理层收发器 2控制器局域网（CAN） 8通道ADC（10位） 1个安全数字多媒体存储卡接口（SDMMC） 1个多通道串行端口（MSP） 电源管理单元（PMU）嵌入开关调节器 工作条件： 主电压调节器（VINL）：1.6 V至4.3 V 备用电压（VINB）：1.6 V至4.3 V 数字电压（VDD）：1.1 V至1.32 V 射频核心电压（VCC）：1.2 V± 10% IO环电压（VddIO）：1.8 V± 5%或3.3 V± 10% 包裹： TFBGA169 9 x 9 x 1.2 mm 0.65节距 工作温度范围：-40/+85°C级

描述：意法半导体® 支持GPS、GLONASS、北斗和QZSS系统的48个跟踪通道和2个快速捕获通道的定位接收机 针对针兼容STA8088G 单芯片独立接收机嵌入射频前端和低噪声放大器 -163 dBm跟踪灵敏度 1.5 m CEP位置精度 热启动时快速TTFF<1 s，冷启动时快速TTFF<30 s 高性能ARM946 MCU（高达196 MHz） 256 KB嵌入式SRAM 实时时钟（RTC）电路 32位看门狗定时器 2个UART 1个I2C主/从接口 2通道ADC（10位） 工作条件： 主电压调节器（VINL）：1.8 V± 5% 备用电压（VINB）：1.6 V至4.3 V 数字电压（VDD）：1.1 V至1.32 V 射频核心电压（VCC）：1.2 V± 10% IO环电压（VddIO）：1.8 V± 5%或3.3 V± 10% 包裹： VFQFPN56（7 x 7 x 1.0 mm）0.4 mm节距 环境温度范围：-40/+85°C级

描述：AEC-Q100合格 STMicroelectronics定位接收机，具有48个跟踪通道和2个支持GPS、Galileo、GLONASS、北斗和QZS系统的快速采集通道 ST牵引（死推算汽车道路）支撑（仅STA8089GATD） 与STA8088GA兼容的针对脚 单芯片独立接收机嵌入射频前端和低噪声放大器 -162 dBm室内灵敏度（跟踪模式） 热启动时快速TTFF<1 s，冷启动时快速TTFF<30 s 高性能ARM946 MCU（高达196 MHz） 外部SQI闪存接口 256 KB嵌入式SRAM 实时时钟（RTC）电路 32位看门狗定时器 2 UART 1 I2C主/从接口 USB2.0全速（12 MHz），配有集成物理层收发器 2控制器局域网（CAN） 2通道ADC（10位） 运行条件： 主电压调节器（VINL）：1.8 V± 5% 备用电压（VINB）：1.6 V至4.3 V 数字电压（VDD）：1.1 V至1.32 V 射频芯电压（VCC）：1.2 V± 10% IO环电压（VddIO）：1.8 V± 5%或3.3 V± 10% 包裹： VFQFFN56（7 x 7 x 1.0 mm）0.4 mm间距 工作温度范围：-40/+105°C级

描述：AEC-Q100合格 意法半导体® 定位接收机，48个跟踪通道和2个快速采集通道，支持GPS、Galileo、GLONASS、北斗和QZSS系统 ST牵引（死计算汽车道路）支撑（仅STA8089GAD） 与STA8088GA兼容的针对脚 单芯片独立接收机嵌入射频前端和低噪声放大器 -162 dBm室内灵敏度（跟踪模式） 热启动时快速TTFF<1 s，冷启动时快速TTFF<30 s 高性能ARM946 MCU（高达196 MHz） 外部SQI闪存接口 256 KB嵌入式SRAM

描述：意法半导体® 定位接收机，48个跟踪通道和2个快速采集通道，支持GPS、Galileo、GLONASS、北斗和QZSS系统 支持ST DRAW（航位推算自动车道）（仅限STA8089GBD） 针对针兼容STA8088G 单芯片独立接收机嵌入射频前端和低噪声放大器 -162 dBm室内灵敏度（跟踪模式） 热启动时快速TTFF<1 s，冷启动时快速TTFF<30 s 高性能ARM946 MCU（高达196 MHz） 外部SQI闪存接口 256 KB嵌入式SRAM 实时时钟（RTC）电路

描述：STA8089FGA属于Teseo III系列产品。该设备是一个在多个星座（GPS/Galileo/GLONASS/BeiDou/QZSS）上工作的单芯片独立定位接收器IC。STA8089FGA符合ST汽车级认证，除了AEC-Q100要求外，还包括一套以百万分之零缺陷为目标的生产流程方法。 该设备是向后兼容的STA8088FG，这使快速客户应用程序迁移。 该设备配有完整的全球导航卫星系统固件，可执行所有全球导航卫星系统操作，包括跟踪、采集、导航和数据输出，无需外部存储器。 STA8089FGAD还可以运行TESEO-DRAW的STMicroelectronics航位推算固件

描述：意法半导体® 定位接收机，48个跟踪通道和2个快速采集通道，支持GPS、Galileo、GLONASS、北斗和QZSS系统 支持ST-DRAW（航位推算自动车道）（仅限STA8089FGBD） 针对针兼容STA8088FG 单芯片独立接收机嵌入射频前端和低噪声放大器 -162 dBm室内灵敏度（跟踪模式） 热启动时快速TTFF<1 s，冷启动时快速TTFF<30 s 高性能ARM946 MCU（高达196 MHz） 256 KB嵌入式SRAM 封装内SQI闪存（16 Mbits） 实时时钟（RTC）电路

描述：所有功能 AEC-Q100 2级 多GNSS频段支持（L1 / E1，L2C，L5 / E5 / E6） 可编程IF带宽（7或13 MHz范围） 3.3 V电源电压 带嵌入式环路滤波器的小数N分频合成器 SPI接口可实现完全可编程性 2位A / D转换器 符合ASIL 工作温度（-40，+ 105°C） CMOS040技术 QFN5x5 32引线封装

描述：该芯片是完全集成的RF前端，这得益于由小数分频PLL驱动的可编程和灵活的RF-IF链，能够支持不同的频段（L1，L2，L5，L6和L）。特别是，G5RF能够管理在未来的所有可用和计划中的GNSS星座，例如GPS，Galileo，Glonass，北斗，IRNSS和QZSS。2位ADC跟随RF_IF链，该ADC能够将IF信号转换为Sign（SIGN）和Magnitude（MAG）位。MAG位在内部集成，以便控制可变增益放大器。VGA增益也可以通过SPI接口设置。 此外，它能够管理1525至1559 MHz的L波段信号，在这种情况下，使用专用的10位ADC和SPI接口在L波段支持下传输低数据速率数据。 符合JESD207的数字接口仅用于将GNSS数据和时钟传输到外部基带。 嵌入式小数分频PLL可以支持广泛的参考时钟（10至55 MHz），并生成可用于基带的采样时钟。 STA5635A嵌入了两个LDO，以1.1 V的电压为设备的模拟和数字内核供电，从而满足了对外部电源的需求。可以打开第三个LDO，以提供1.8 V的外部有源组件作为TCXO。 该芯片采用CMOS040nm技术制造，并采用QFN封装

描述：所有功能 峰值脉冲功率：1500 W（10/1000μs）和10 kW（8/20μs） 扁平薄包装：1毫米 隔离电压范围：5 V至64 V 单向型 低泄漏电流：在25°C时为0.2μA，在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：175°C Tj最大值时的高功率能力：1100 W（10/1000 µs） 铅精加工：哑光镀锡

描述：所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率：1500 W（10/1000μs）和10 kW（8/20μs） 扁平薄包装：1毫米 隔离电压范围：5 V至64 V 单向型 低泄漏电流：在25°C时为0.2μA，在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：175°C Tj最大值时的高功率能力：1100 W（10/1000 µs） 铅精加工：哑光镀锡

描述：所有功能 峰值脉冲功率：1500 W（10/1000μs）和10 kW（8/20μs） 扁平薄包装：1毫米 隔离电压范围：5 V至64 V 单向型 低泄漏电流：在25°C时为0.2μA，在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：175°C Tj最大值时的高功率能力：1100 W（10/1000 µs） 铅精加工：哑光镀锡

描述：所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率：1500 W（10/1000μs）和10 kW（8/20μs） 扁平薄包装：1毫米 隔离电压范围：5 V至64 V 单向型 低泄漏电流：在25°C时为0.2μA，在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：175°C Tj最大值时的高功率能力：1100 W（10/1000 µs） 铅精加工：哑光镀锡

描述：所有功能 峰值脉冲功率：1500 W（10/1000μs）和10 kW（8/20μs） 扁平薄包装：1毫米 隔离电压范围：5 V至64 V 单向型 低泄漏电流：在25°C时为0.2μA，在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：175°C Tj最大值时的高功率能力：1100 W（10/1000 µs） 铅精加工：哑光镀锡

描述：所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

描述：符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

描述：所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

描述：特征 •峰值脉冲功率：600 W（10/1000μs）和4 kW（8/20μs） •隔离电压范围从5 V到188 V •单向和双向类型 •低泄漏电流：25°C时为0.2μA，85°C时为1μA •操作Tj 最高：150°C •Tj的高功率能力 最大：高达515 W（10/1000µs） •铅表面处理：无光镀锡

描述：特征 •峰值脉冲功率：600 W（10/1000μs）和4 kW（8/20μs） •隔离电压范围从5 V到188 V •单向和双向类型 •低泄漏电流：25°C时为0.2μA，85°C时为1μA •操作Tj 最高：150°C •Tj的高功率能力 最大：高达515 W（10/1000µs） •铅表面处理：无光镀锡

描述：所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

描述：描述 SMA6TY Transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受ISO 7637-2中定义的电涌和根据ISO 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。SMA6TY以SMA封装（符合IPC 7531标准的SMA封装）。 Transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

描述：描述 SMA6TY Transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受ISO 7637-2中定义的电涌和根据ISO 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。SMA6TY以SMA封装（符合IPC 7531标准的SMA封装）。 Transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

描述：描述 SMA6TY Transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受ISO 7637-2中定义的电涌和根据ISO 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。SMA6TY以SMA封装（符合IPC 7531标准的SMA封装）。 Transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

描述：所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

描述：所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

描述：所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

描述：所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

描述：所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

描述：所有功能 符合AEC-Q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C JEDEC注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0