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  • ISO1050

    描述:满足 ISO11898-2 的要求 5000 VRMS隔离(ISO1050DW) 2500 VRMS隔离 故障安全输出 低环路延迟:150ns(典型值),210ns(最大值) 50kV/µs 瞬态抗扰度,典型值 -27V 至 40V 的总线故障保护 驱动器 (TXD) 主导超时功能 I/O 电压范围支持 3.3V 和 5V 微处理器 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-1

  • SN65HVD233-EP

    描述:总线引脚故障保护超过±36 V 母线引脚ESD保护超过16 kV HBM 符合ISO 11898 信令速率(1)高达1 Mbps 扩展–7-V至12-V共模范围 高输入阻抗允许120个节点 LVTTL I/O具有5-V耐受性 可调驱动器转换时间,提高信号质量 无动力节点不会干扰总线 低电流待机模式。200-µA典型

  • SN65HVD233-HT

    描述:总线引脚故障保护超过±36 V 母线引脚ESD保护超过16 kV人 车身模型(HBM) 符合ISO 11898 信令速率(1)高达1 Mbps 扩展–7-V至12-V共模范围 高输入阻抗允许120个节点 LVTTL I/O具有5-V耐受性 可调驾驶员转换时间,提高

  • SN65HVD230Q-Q1

    描述:适合汽车应用 根据MIL-STD-883方法3015,ESD保护超过2000 V; 使用机器型号时超过200 V(C=200 pF,R=0) 使用3.3伏电源供电 PCA82C250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚ESD保护超过15 kV HBM 改善信号的受控驱动器输出转换时间 SN65HVD230Q和SN65HVD231Q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合ISO 11898标准的要求

  • SN65HVD251-Q1

    描述:适合汽车应用 PCA82C250和PCA82C251的改进换代产品 ±36 V母线故障保护 达到或超过ISO 11898 信令速率(1)高达1 Mbps 高输入阻抗允许总线上最多120个SN65HVD251节点 母线引脚ESD保护超过9 kV(HBM) 无动力节点不会干扰总线 低电流待机模式:典型200µA

  • SN65HVD230M-EP

    描述:控制基线 一个装配/试验场地,一个制造场地 扩展温度性能-55°C至125°C 增强制造资源递减(DMS)支持 增强型产品更改通知 资质谱系 使用3.3伏电源供电 PCA82C250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚ESD保护超过15 kV HBM SN65HVD230M上改善信号质量的可控驱动器输出转换时间 无动力节点不会干扰总线 符合ISO 11898标准的要求 低电流SN65HVD230M待机模式370µA典型值 设计用于高达1兆位/秒(Mbps)的信令速率 过温度保护

  • SN65HVD235

    描述:3.3V 单电源电压 总线引脚故障保护大于 ±36V 总线引脚 ESD 保护大于 ±16kV HBM 符合 ISO 11898-2 标准 符合 GIFT/ICT 标准 数据速率高达 1Mbps 扩展级共模范围:–7V 至 12V 高输入阻抗支持 120 个节点 LVTTL I/O 可承受 5V 的电压 可调节的驱动器转换时间,能够改善辐射性能 未供电节点不会干扰总线 低电流待机模式,200µA(典型值) SN65HVD233:环回模式 SN65HVD234:超低电流休眠模式 50nA 典型电流消耗 SN65HVD235:自动波特环回模式 热关断保护

  • SN65HVD234

    描述:3.3V 单电源电压 总线引脚故障保护大于 ±36V 总线引脚 ESD 保护大于 ±16kV HBM 符合 ISO 11898-2 标准 符合 GIFT/ICT 标准 数据速率高达 1Mbps 扩展级共模范围:–7V 至 12V 高输入阻抗支持 120 个节点 LVTTL I/O 可承受 5V 的电压 可调节的驱动器转换时间,能够改善辐射性能 未供电节点不会干扰总线 低电流待机模式,200µA(典型值) SN65HVD233:环回模式 SN65HVD234:超低电流休眠模式 50nA 典型电流消耗

  • SN65HVD233

    描述:3.3V 单电源电压 总线引脚故障保护大于 ±36V 总线引脚 ESD 保护大于 ±16kV HBM 符合 ISO 11898-2 标准 符合 GIFT/ICT 标准 数据速率高达 1Mbps 扩展级共模范围:–7V 至 12V 高输入阻抗支持 120 个节点 LVTTL I/O 可承受 5V 的电压 可调节的驱动器转换时间,能够改善辐射性能 未供电节点不会干扰总线 低电流待机模式,200µA(典型值) SN65HVD233:环回模式 SN65HVD234:超低电流休眠模式 50nA 典型电流消耗 SN65HVD235:自动波特环回模式 热关断保护 加电和断电时总线输入和输出上无干扰 具有低 VCC 的高输入阻抗 功率循环过程中单片输出 All trademarks are the property of their respective owners. 部分显示

  • SN65HVD251

    描述:内置改进型替换 PCA82C250和PCA82C251 ±36 V母线故障保护 达到或超过ISO 11898 信令速率(1)高达1 Mbps 高输入阻抗允许多达120个节点 在公共汽车上 母线引脚ESD保护超过14 kV HBM 无动力节点不会干扰总线 低电流待机模式:典型值为200-µA

  • SN65HVD232Q-Q1

    描述:适合汽车应用 根据MIL-STD-883方法3015,ESD保护超过2000 V; 使用机器型号时超过200 V(C=200 pF,R=0) 使用3.3伏电源供电 PCA82C250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚ESD保护超过15 kV HBM 改善信号的受控驱动器输出转换时间 SN65HVD230Q和SN65HVD231Q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合ISO 11898标准的要求 低电流SN65HVD230Q待机模式370µA典型 低电流SN65HVD231Q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒(Mbps)的信令速率 过温度保护 开路故障安全设计

  • SN65HVD231Q-Q1

    描述:适合汽车应用 根据MIL-STD-883方法3015,ESD保护超过2000 V; 使用机器型号时超过200 V(C=200 pF,R=0) 使用3.3伏电源供电 PCA82C250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚ESD保护超过15 kV HBM 改善信号的受控驱动器输出转换时间 SN65HVD230Q和SN65HVD231Q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合ISO 11898标准的要求 低电流SN65HVD230Q待机模式370µA典型 低电流SN65HVD231Q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒(Mbps)的信令速率 过温度保护 开路故障安全设计

  • SN65HVD232Q

    描述:合格汽车应用 根据MIL-STD-883方法3015,ESD保护超过2000 V; 使用机器型号时超过200 V(C=200 pF,R=0) 使用3.3伏电源供电 PCA82C250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚ESD保护超过15 kV HBM 改善信号的受控驱动器输出转换时间 SN65HVD230Q和SN65HVD231Q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合ISO 11898标准的要求 低电流SN65HVD230Q待机模式370µA典型 低电流SN65HVD231Q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒(Mbps)的信令速率 过温度保护

  • SN65HVD231Q

    描述:合格汽车应用 根据MIL-STD-883方法3015,ESD保护超过2000 V; 使用机器型号时超过200 V(C=200 pF,R=0) 使用3.3伏电源供电 PCA82C250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚ESD保护超过15 kV HBM 改善信号的受控驱动器输出转换时间 SN65HVD230Q和SN65HVD231Q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合ISO 11898标准的要求 低电流SN65HVD230Q待机模式370µA典型 低电流SN65HVD231Q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒(Mbps)的信令速率 过温度保护

  • SN65HVD232

    描述:由 3.3V 单电源供电 符合 ISO 11898-2 标准 PCA82C250 封装的低功耗替代产品 总线引脚静电放电 (ESD) 保护超过 ±16kV 人体模型 (HBM) 高输入阻抗,允许一条总线上连接多达 120 个节点 可调节的驱动器转换时间,能够改善辐射性能 SN65HVD230 和 SN65HVD231 SN65HVD230:低电流待机模式 370µA(典型值) SN65HVD231:超低电流休眠模式 40nA(典型值) 针对高达 1Mbps 的数据速率(1) 而设计 热关断保护 开路故障安全设计 针对热插拔 应用的无毛刺脉冲上电和断电保护 (1)

  • SN65HVD231

    描述:由 3.3V 单电源供电 符合 ISO 11898-2 标准 PCA82C250 封装的低功耗替代产品 总线引脚静电放电 (ESD) 保护超过 ±16kV 人体模型 (HBM) 高输入阻抗,允许一条总线上连接多达 120 个节点 可调节的驱动器转换时间,能够改善辐射性能 SN65HVD230 和 SN65HVD231 SN65HVD230:低电流待机模式 370µA(典型值)

  • SN65HVD230Q

    描述:合格汽车应用 根据MIL-STD-883方法3015,ESD保护超过2000 V; 使用机器型号时超过200 V(C=200 pF,R=0) 使用3.3伏电源供电 PCA82C250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚ESD保护超过15 kV HBM 改善信号的受控驱动器输出转换时间 SN65HVD230Q和SN65HVD231Q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合ISO 11898标准的要求 低电流SN65HVD230Q待机模式370µA典型 低电流SN65HVD231Q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒(Mbps)的信令速率 过温度保护

  • SN65HVD230

    描述:由 3.3V 单电源供电 符合 ISO 11898-2 标准 PCA82C250 封装的低功耗替代产品 总线引脚静电放电 (ESD) 保护超过 ±16kV 人体模型 (HBM) 高输入阻抗,允许一条总线上连接多达 120 个节点 可调节的驱动器转换时间,能够改善辐射性能 SN65HVD230 和 SN65HVD231 SN65HVD230:低电流待机模式 370µA(典型值

  • SN65LBC031Q

    描述:SN75LBC031是一个CAN收发器,用作CAN控制器和物理总线之间的接口,用于高达500kbaud的高速应用。该装置向差分总线提供传输能力,向控制器提供差分接收能力。发射机输出(CANH和CANL)具有内部过渡调节功能,以提供受控对称性,从而产生低EMI发射。两个变送器输出都有充分的保护,以防母线上可能发生的电池短路和电气瞬变。在器件功耗过大的情况下,在结温约为160°C时,输出驱动器将被热关机电路禁用。在变送器输入端加入一个内部上拉电阻器,可确保在通电和协议控制器重置期间,输出达到规定的水平。对于500 kBaud的正常运行,ASC终端开路或连接到GND。对于125kbaud的低速运行,可以通过将ASC终端连接到VCC来增加总线输出转换时间以减少EMI。接收器包括一个集成滤波器,用于将信号抑制为宽度小于30纳秒的脉冲。

  • SN75LBC031

    描述:SN75LBC031是一个CAN收发器,用作CAN控制器和物理总线之间的接口,用于高达500kbaud的高速应用。该装置向差分总线提供传输能力,向控制器提供差分接收能力。发射机输出(CANH和CANL)具有内部过渡调节功能,以提供受控对称性,从而产生低EMI发射。两个变送器输出都有充分的保护,以防母线上可能发生的电池短路和电气瞬变。在器件功耗过大的情况下,在结温约为160°C时,输出驱动器将被热关机电路禁用。在变送器输入端加入一个内部上拉电阻器,可确保在通电和协议控制器重置期间,输出达到规定的水平。对于500 kBaud的正常运行,ASC终端开路或连接到GND。对于125kbaud的低速运行,可以通过将ASC终端连接到VCC来增加总线输出转换时间以减少EMI。接收器包括一个集成滤波器,用于将信号抑制为宽度小于30纳秒的脉冲。

  • SN65LBC031

    描述:SN75LBC031是一个CAN收发器,用作CAN控制器和物理总线之间的接口,用于高达500kbaud的高速应用。该装置向差分总线提供传输能力,向控制器提供差分接收能力。发射机输出(CANH和CANL)具有内部过渡调节功能,以提供受控对称性,从而产生低EMI发射。两个变送器输出都有充分的保护,以防母线上可能发生的电池短路和电气瞬变。在器件功耗过大的情况下,在结温约为160°C时,输出驱动器将被热关机电路禁用。在变送器输入端加入一个内部上拉电阻器,可确保在通电和协议控制器重置期间,输出达到规定的水平。对于500 kBaud的正常运行,ASC终端开路或连接到GND。对于125kbaud的低速运行,可以通过将ASC终端连接到VCC来增加总线输出转换时间以减少EMI。接收器包括一个集成滤波器,用于将信号抑制为宽度小于30纳秒的脉冲。

  • TLIN2027-Q1

    描述:TLIN027-Q1是一种本地互连网络(LIN)物理层收发器,具有集成唤醒和保护功能,兼容LIN 2.0、LIN 2.1、LIN 2.2、LIN 2.2 a和ISO/DIS 17987–4.2标准。LIN是一种单线双向总线,通常用于车辆网络中使用的低速数据速率高达20 kbps。TLIN027-Q1旨在支持24 V应用,工作电压更宽,母线故障保护附加。LIN接收器支持高达100 kbps的数据速率,以更快地进行在线编程。TLIN027-Q1使用减少电磁发射(EME)的电流限制波整形驱动器将TXD输入上的LIN协议数据流转换为LIN总线信号。接收器将数据流转换为逻辑级信号,这些信号通过开漏RXD引脚发送到微处理器。使用睡眠模式可使用超低电流消耗,该模式允许通过LIN总线或EN引脚唤醒。

  • TLIN2024-Q1

    描述:符合面向汽车应用的 AEC Q100 标准 环境温度:–40 至 125°C HBM 分类等级:±8kV CDM 分类等级:±1.5kV 符合 LIN2.0、LIN2.1、LIN2.2、LIN2.2A 和 ISO/DIS 17987–4.2 标准 符合适用于 LIN 的 SAE J2602 推荐实践的要求 支持 12V 和 24V 电池 应用 LIN 数据传输速率高达 20kbps 宽工作范围

  • TLIN1027-Q1

    描述:TLIN1027-Q1是一种具有集成唤醒和保护功能的局域互联网络(LIN)物理层收发器,与LIN 2.0、LIN 2.1、LIN 2.2、LIN 2.2A和ISO/DIS 17987–4.2标准兼容。LIN是一种单线双向总线,通常用于低速车载网络,数据速率高达20 kbps。TLIN1027-Q1设计用于支持12伏应用,具有更宽的工作电压和额外的母线故障保护。LIN接收器支持高达100 kbps的数据速率,以实现更快的在线编程。TLIN1027-Q1使用电流限制的波形成形驱动器将TXD输入上的LIN协议数据流转换为LIN总线信号,该驱动器可减少电磁辐射(EME)。接收器将数据流转换为逻辑电平信号,通过开漏RXD引脚发送到微处理器。使用允许通过LIN总线或EN引脚唤醒的休眠模式,可以实现超低电流消耗。

  • TCAN1048V-Q1

    描述:符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准 温度等级 1:–40°C 至 125°C TA 两个具有独立模式控制功能的高速 CAN 收发器 符合 ISO 11898-2:2016 和 ISO 11898-5:2007 物理层标准的要求 支持传统 CAN 和经优化的 CAN FD 性能(数据速率为 2、5 和 8Mbps) 具有较短的对称传播延迟时间和快速循环次数,可增加时序裕量 在有负载 CAN 网络中实现更快的数据速率 IO 电压范围支持 1.7V 至 5.5V 支持 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V 应用

  • TCAN1044EV-Q1

    描述:符合面向汽车应用的 AEC-Q100(0 级) 标准 符合 ISO 11898-2:2016 和 ISO 11898-5:2007 物理层标准的要求 支持传统 CAN 和经优化的 CAN FD 性能(数据速率为 2、5 和 8Mbps) 具有较短的对称传播延迟时间,可增加时序裕量 在有负载 CAN 网络中实现更快的数据速率 I/O 电压范围:1.7V 至 5.5V 支持 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V 应用 保护 功能: 总线故障保护:±58V 欠压保护 TXD 显性超时 (DTO) 数据速率低至 9.2kbps 热关断保护 (TSD) 工作模式: 正常模式 支持远程唤醒请求功能的低功耗待机模式 优化了未上电时的性能 总线和逻辑引脚为高阻抗(运行总线或应用上无负载) 支持热插拔:在总线和 RXD 输出上可实现上电/断电无干扰运行 接收器共模输入电压:±12V

  • DS90UH940-Q1

    描述:支持高达 170MHz 的像素时钟频率,支持 WUXGA (1920x1200) 和 1080p60 分辨率(24 位色深) 具有偏移补偿能力的单通道或双通道 FPD-Link III 接口 MIPI D-PHY/CSI-2 发送器 支持 2 通道或 4 通道两种可选操作的 CSI-2 输出端口 每个 CSI-2 端口最多支持 4 个数据通道,每个通道最高 1.3Gbps 视频格式:RGB888/666/565、YUV422/420 和 RAW8/10/12 可编程虚拟通道标识符 集成具有片上密钥存储功能的高带宽数字内容保护 (HDCP) 加密引擎 速度高达 2.0Mbps 的通用输入输出 (GPIO) 具有自动温度和老化补偿功能,支持长达 15 米的电缆 速率高达 3.3Mbps 的串行外设接口 (SPI) 控制接口 具有 1Mbps 快速模式+ 的 I2C(主/从) 自适应接收均衡 支持多条 I2S(4 个数据)通道 向后兼容 DS90UH925/925AQ-Q1 和 DS90UH927Q-Q1 FPD-Link III 串行器 汽车应用级产品:符合 AEC-Q100 2 级要求

  • DS90UH940-Q1

    描述:支持高达 170MHz 的像素时钟频率,支持 WUXGA (1920x1200) 和 1080p60 分辨率(24 位色深) 具有偏移补偿能力的单通道或双通道 FPD-Link III 接口 MIPI D-PHY/CSI-2 发送器 支持 2 通道或 4 通道两种可选操作的 CSI-2 输出端口 每个 CSI-2 端口最多支持 4 个数据通道,每个通道最高 1.3Gbps 视频格式:RGB888/666/565、YUV422/420 和 RAW8/10/12 可编程虚拟通道标识符 集成具有片上密钥存储功能的高带宽数字内容保护 (HDCP) 加密引擎 速度高达 2.0Mbps 的通用输入输出 (GPIO) 具有自动温度和老化补偿功能,支持长达 15 米的电缆 速率高达 3.3Mbps 的串行外设接口 (SPI) 控制接口 具有 1Mbps 快速模式+ 的 I2C(主/从) 自适应接收均衡 支持多条 I2S(4 个数据)通道 向后兼容 DS90UH925/925AQ-Q1 和 DS90UH927Q-Q1 FPD-Link III 串行器 汽车应用级产品:符合 AEC-Q100 2 级要求

  • DS90UB940-Q1

    描述:支持高达 170MHz 的像素时钟频率,支持 WUXGA (1920x1200) 和 1080p60 分辨率(24 位色深) 具有偏移补偿能力的单通道或双通道 FPD-Link III 接口 MIPI D-PHY/CSI-2 发送器 支持 2 通道或 4 通道两种可选操作的 CSI-2 输出端口 每个 CSI-2 端口最多支持 4 个数据通道,每个通道最高 1.3Gbps 视频格式:RGB888/666/565、YUV422/420 和 RAW8/10/12 可编程虚拟通道标识符 速度高达 2.0Mbps 的通用输入输出 (GPIO) 具有自动温度和老化补偿功能,支持长达 15 米的电缆 速率高达 3.3Mbps 的串行外设接口 (SPI) 控制接口 具有 1Mbps 快速模式+ 的 I2C(主/从) 自适应接收均衡 支持多条 I2S(4 个数据)通道 向后兼容 DS90UB925/925AQ-Q1 和 DS90UB927Q-Q1 FPD-Link III 串行器 汽车应用级产品:符合 AEC-Q100 2 级要求

  • DS90UH948-Q1

    描述:符合汽车应用要求 应用 具有符合 AEC Q100 标准的下列结果: 器件温度 2 级:-40℃ 至 +105℃ 的环境运行温度范围 支持高达 192 MHz 的像素时钟频率,可实现高达 2K (2048x1080) 的分辨率(24 位色深) 具有偏移补偿能力的单通道或双通道 FPD-Link III 接口 单通道或双通道 OpenLDI (LVDS) 发送器 单通道:高达 96MHz 的像素时钟 双通道:高达 192MHz 的像素时钟 可配置的 18 位 RGB 或 24 位 RGB 具有片上密钥存储的集成型 HDCP 密码引擎 支持 HDCP 中继器 应用 四通道高速 GPIO(每个通道最高 2Mbps) 自适应接收均衡 1.7GHz 时,通道插入损耗补偿高达 –15.3dB 提供自动温度和电缆老化补偿 SPI 控制接口速率高达 3.3Mbps 具有 1Mbps 快速模式增强版的 I2C(主/从) 图像增强功能(白平衡和抖动) 支持 7.1 多条 I2S(4 个数据)通道

  • DS90UB948-Q1

    描述:符合汽车应用要求 应用 具有符合 AEC Q100 标准的下列结果: 器件温度 2 级:-40℃ 至 +105℃ 的环境运行温度范围 支持高达 192 MHz 的像素时钟频率,可实现高达 2K (2048x1080) 的分辨率(24 位色深) 具有偏移补偿能力的单通道或双通道 FPD-Link III 接口 单通道或双通道 OpenLDI (LVDS) 发送器 单通道:高达 96MHz 的像素时钟 双通道:高达 192MHz 的像素时钟 可配置的 18 位 RGB 或 24 位 RGB 四通道高速 GPIO(每个通道最高 2Mbps) 自适应接收均衡 1.7GHz 时,通道插入损耗补偿高达 –15.3dB 提供自动温度和电缆老化补偿 SPI 控制接口速率高达 3.3Mbps 具有 1Mbps 快速模式增强版的 I2C(主/从) 图像增强功能(白平衡和抖动) 支持 7.1 多条 I2S(4 个数据)通道

  • DS90UH925AQ-Q1

    描述:支持片上密钥存储的集成型 HDCP 密码引擎 具有 I2C 兼容串行控制总线的双向控制接口通道接口 支持高清 (720p) 数字视频格式 支持 RGB888 + VS,HS,DE 和 I2S 音频 支持 5 至 85MHz 并行时钟 (PCLK) 具有 1.8V 或 3.3V 兼容 LVCMOS I/O 接口的单个 3.3V 电源运行 长达 10 米的交流耦合生成树协议 (STP) 互连 并行 LVCMOS 视频输出 具有嵌入式时钟的直流均衡 & 扰频数据 支持 HDCP 中继器应用 针对远程中断的专用中断引脚 内部模式生成 低功率模式最大限度地减少了功率耗散 汽车应用级产品:符合 AEC-Q100 2 级要求 >8kV 人体模型 (HBM) 和 ISO 10605 静电放电 (ESD) 等级

  • SN65LVDS822

    描述:4:27 LVDS 到 CMOS 解串器 对于 160 × 120 至 1024 × 600 范围内的分辨率,像素时钟范围为 4MHz 至 54MHz 具有 14x 采样的特殊 2:27 模式允许只使用 2 条数据信道 具有 3 路可选 CMOS 转换率的极低电磁干扰 (EMI) 支持单个 3.3V 电源;VDDIO 允许 1.8V 至 3.3V 电压范围,可提供灵活的面板支持 时钟输出为上升或下降边沿 针对灵活印刷电路板 (PCB) 布局布线的总线交换特性 集成型可切换输入端接 所有输入引脚是故障安全的;±3kV 人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 7mm x 7mm 48 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN),0.5mm 间距 与 TIA/EIA-644-A 发送器兼容

  • AM3351

    描述:高达 1GHz Sitara™ ARM® Cortex®-A8 32 位精简指令集计算机 (RISC) 处理器 NEON™单指令流多数据流 (SIMD) 协处理器 32KB L1 指令和 32KB 带有单位检错(奇偶校验)的数据缓存 带有错误校正码 (ECC) 的 256KB L2 缓存 176KB 片载启动 ROM 64KB 专用 RAM 仿真和调试 - JTAG 中断控制器(最多可控制 128 个中断请求) 片上存储器(共享 L3 RAM) 64KB 通用片上存储器控制器 (OCMC) 随机存取存储器 (RAM) 可访问所有主机 支持保持以实现快速唤醒 外部存储器接口 (EMIF) mDDR(LPDDR)、DDR2、DDR3、DDR3L 控制器: mDDR:200MHz 时钟(400MHz 数据速率) DDR2:266MHz 时钟(532MHz 数据速率) DDR3:400MHz 时钟(800MHz 数据速率)

  • AM3352

    描述:高达 1GHz Sitara™ ARM® Cortex®-A8 32 位精简指令集计算机 (RISC) 处理器 NEON™单指令流多数据流 (SIMD) 协处理器 32KB L1 指令和 32KB 带有单位检错(奇偶校验)的数据缓存 带有错误校正码 (ECC) 的 256KB L2 缓存 176KB 片载启动 ROM 64KB 专用 RAM 仿真和调试 - JTAG 中断控制器(最多可控制 128 个中断请求) 片上存储器(共享 L3 RAM) 64KB 通用片上存储器控制器 (OCMC) 随机存取存储器 (RAM) 可访问所有主机 支持保持以实现快速唤醒 外部存储器接口 (EMIF) mDDR(LPDDR)、DDR2、DDR3、DDR3L 控制器: mDDR:200MHz 时钟(400MHz 数据速率) DDR2:266MHz 时钟(532MHz 数据速率) DDR3:400MHz 时钟(800MHz 数据速率)

  • AM3354

    描述:高达 1GHz Sitara™ ARM® Cortex®-A8 32 位精简指令集计算机 (RISC) 处理器 NEON™单指令流多数据流 (SIMD) 协处理器 32KB L1 指令和 32KB 带有单位检错(奇偶校验)的数据缓存 带有错误校正码 (ECC) 的 256KB L2 缓存 176KB 片载启动 ROM 64KB 专用 RAM 仿真和调试 - JTAG 中断控制器(最多可控制 128 个中断请求) 片上存储器(共享 L3 RAM) 64KB 通用片上存储器控制器 (OCMC) 随机存取存储器 (RAM) 可访问所有主机 支持保持以实现快速唤醒 外部存储器接口 (EMIF) mDDR(LPDDR)、DDR2、DDR3、DDR3L 控制器: mDDR:200MHz 时钟(400MHz 数据速率) DDR2:266MHz 时钟(532MHz 数据速率) DDR3:400MHz 时钟(800MHz 数据速率)

  • AM3356

    描述:高达 1GHz Sitara™ ARM® Cortex®-A8 32 位精简指令集计算机 (RISC) 处理器 NEON™单指令流多数据流 (SIMD) 协处理器 32KB L1 指令和 32KB 带有单位检错(奇偶校验)的数据缓存 带有错误校正码 (ECC) 的 256KB L2 缓存 176KB 片载启动 ROM 64KB 专用 RAM 仿真和调试 - JTAG 中断控制器(最多可控制 128 个中断请求) 片上存储器(共享 L3 RAM) 64KB 通用片上存储器控制器 (OCMC) 随机存取存储器 (RAM) 可访问所有主机 支持保持以实现快速唤醒 外部存储器接口 (EMIF) mDDR(LPDDR)、DDR2、DDR3、DDR3L 控制器: mDDR:200MHz 时钟(400MHz 数据速率) DDR2:266MHz 时钟(532MHz 数据速率) DDR3:400MHz 时钟(800MHz 数据速率) DDR3L:400MHz 时钟(800MHz 数据速率)

  • AM3357

    描述:高达 1GHz Sitara™ ARM® Cortex®-A8 32 位精简指令集计算机 (RISC) 处理器 NEON™单指令流多数据流 (SIMD) 协处理器 32KB L1 指令和 32KB 带有单位检错(奇偶校验)的数据缓存 带有错误校正码 (ECC) 的 256KB L2 缓存 176KB 片载启动 ROM 64KB 专用 RAM 仿真和调试 - JTAG 中断控制器(最多可控制 128 个中断请求) 片上存储器(共享 L3 RAM) 64KB 通用片上存储器控制器 (OCMC) 随机存取存储器 (RAM) 可访问所有主机 支持保持以实现快速唤醒 外部存储器接口 (EMIF) mDDR(LPDDR)、DDR2、DDR3、DDR3L 控制器: mDDR:200MHz 时钟(400MHz 数据速率) DDR2:266MHz 时钟(532MHz 数据速率) DDR3:400MHz 时钟(800MHz 数据速率) DDR3L:400MHz 时钟(800MHz 数据速率) 16 位数据总线 1GB 全部可寻址空间 支持一个 x16 或两个 x8 存储器件配置 通用存储器控制器 (GPMC) 灵活的 8 位和 16 位异步存储器接口,具有多达七个片选(NAND、NOR、复用 NOR 和 SRAM) 使用 BCH 代码,支持 4 位、8 位或 16 位 ECC 使用海明码来支持 1 位 ECC

  • AM3358

    描述:高达 1GHz Sitara™ ARM® Cortex®-A8 32 位精简指令集计算机 (RISC) 处理器 NEON™单指令流多数据流 (SIMD) 协处理器 32KB L1 指令和 32KB 带有单位检错(奇偶校验)的数据缓存 带有错误校正码 (ECC) 的 256KB L2 缓存 176KB 片载启动 ROM 64KB 专用 RAM 仿真和调试 - JTAG 中断控制器(最多可控制 128 个中断请求) 片上存储器(共享 L3 RAM) 64KB 通用片上存储器控制器 (OCMC) 随机存取存储器 (RAM) 可访问所有主机 支持保持以实现快速唤醒 外部存储器接口 (EMIF) mDDR(LPDDR)、DDR2、DDR3、DDR3L 控制器: mDDR:200MHz 时钟(400MHz 数据速率) DDR2:266MHz 时钟(532MHz 数据速率) DDR3:400MHz 时钟(800MHz 数据速率) DDR3L:400MHz 时钟(800MHz 数据速率) 16 位数据总线 1GB 全部可寻址空间 支持一个 x16 或两个 x8 存储器件配置 通用存储器控制器 (GPMC) 灵活的 8 位和 16 位异步存储器接口,具有多达七个片选(NAND、NOR、复用 NOR 和 SRAM) 使用 BCH 代码,支持 4 位、8 位或 16 位 ECC 使用海明码来支持 1 位 ECC

  • AM3358-EP

    描述:高达 800MHz Sitara™ ARM® Cortex®-A8 32 位 RISC 处理器 NEON™SIMD 协处理器 32KB L1 指令和具有单错检测(奇偶校验)功能的 32KB 数据缓存 具有错误校正码 (ECC) 的 256KB L2 缓存 176KB 片上引导 ROM 64KB 专用 RAM 仿真和调试 - JTAG 中断控制器(最多可控制 128 个中断请求) 片上存储器(共享 L3 RAM) 64KB 通用片上存储器控制器 (OCMC) RAM 可访问所有主机 支持保持以实现快速唤醒 外部存储器接口 (EMIF) mDDR(LPDDR)、DDR2、DDR3、DDR3L 控制器: mDDR:200MHz 时钟(400MHz 数据速率) DDR2:266MHz 时钟(532MHz 数据速率) DDR3:400MHz 时钟(800MHz 数据速率)

  • AM3359

    描述:高达 1GHz Sitara™ ARM® Cortex®-A8 32 位精简指令集计算机 (RISC) 处理器 NEON™单指令流多数据流 (SIMD) 协处理器 32KB L1 指令和 32KB 带有单位检错(奇偶校验)的数据缓存 带有错误校正码 (ECC) 的 256KB L2 缓存 176KB 片载启动 ROM 64KB 专用 RAM 仿真和调试 - JTAG 中断控制器(最多可控制 128 个中断请求) 片上存储器(共享 L3 RAM) 64KB 通用片上存储器控制器 (OCMC) 随机存取存储器 (RAM) 可访问所有主机 支持保持以实现快速唤醒 外部存储器接口 (EMIF) mDDR(LPDDR)、DDR2、DDR3、DDR3L 控制器: mDDR:200MHz 时钟(400MHz 数据速率) DDR2:266MHz 时钟(532MHz 数据速率) DDR3:400MHz 时钟(800MHz 数据速率) DDR3L:400MHz 时钟(800MHz 数据速率)

  • CDCLVP111-SP

    描述:将一个差分时钟输入对 LVPECL 分配至 10 个差分 LVPECL 与低压发射器耦合逻辑 (LVECL) 和 LVPECL 完全兼容 支持 2.375V 至 3.8V 的宽电源电压范围 通过 CLK_SEL 可选择时钟输入 低输出偏移(典型值为 15ps),适用于时钟分配 应用 额外抖动少于 1ps 传播延迟少于 355ps 开输入缺省状态 兼容低压差分信令 (LVDS)、电流模式逻辑 (CML) 和短截线串联端接逻辑 (SSTL) 输入

  • LMK00334-Q1

    描述:符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准: 器件温度等级 2:-40°C 至 105°C 的环境运行温度范围 器件 HBM ESD 分类等级 2 器件 CDM ESD 分类等级 C5 器件 MM ESD 分类等级 M2 3:1 输入多路复用器 两个通用输入运行频率高达 400MHz,且接受 LVPECL、LVDS、CML、SSTL、HSTL、HCSL 或单端时钟 单个晶振输入可接受 10MHz 至 40MHz 的晶振或单端时钟

  • LMK00804B-Q1

    描述:下列性能符合 AEC-Q100 标准: 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA 支持 1.5V 至 3.3V 电平范围的四路 LVCMOS/LVTTL 输出 附加抖动:在 40MHz 时为 0.1ps RMS(典型值) 本底噪声:在 40MHz 时为 –168dBc/Hz(典型值) 输出频率:350MHz(最大值) 输出偏斜:35ps(最大值) 器件间偏移:550ps(最大值)

  • CDCDB2000

    描述:具有集成 85Ω 输出终端的 20 LP-HCSL 输出 8 硬件输出使能端 (OE#) 控制装置 使用 DB2000QL 滤波器之后的附加相位抖动: < 0.08ps rms 支持 PCIe 第 4 代和第 5 代常见时钟 (CC) 频率和单独基准 (IR) 架构 与扩频兼容 周期到周期抖动:< 50ps 输出到输出偏斜:< 50ps 输入到输出延迟:< 3ns 3.3V 内核和 IO 电源电压 硬件控制的低功耗模式 (PD#) 用于在 PD# 模式下进行输出控制的边带接口 (SBI) 9 个可选 SMBus 地址 功耗:< 600mW 6mm × 6mm,80 引脚 TLGA/GQFN 封装

  • LMK1C1104

    描述:高性能 1:4 LVCMOS 时钟缓冲器 输出偏斜极低,< 50ps 附加抖动极低,最大值 < 50fs VDD = 3.3V 时,典型值为 7.5fs VDD = 2.5V 时,典型值为 10fs VDD = 1.8V 时,典型值为 19.2fs 传播延迟极低,< 3ns 同步输出使能 电源电压:3.3V、2.5V 或 1.8V 在电源电压范围内输入端耐受 3.3V 电压 fmax = 250MHz (3.3V) fmax = 200MHz(2.5V 和 1.8V) 工作温度范围:–40°C 至 125°C 采用 8 引脚 TSSOP 封装

  • LMK1C1103

    描述:高性能 1:4 LVCMOS 时钟缓冲器 输出偏斜极低,< 50ps 附加抖动极低,最大值 < 50fs VDD = 3.3V 时,典型值为 7.5fs VDD = 2.5V 时,典型值为 10fs VDD = 1.8V 时,典型值为 19.2fs 传播延迟极低,< 3ns 同步输出使能 电源电压:3.3V、2.5V 或 1.8V 在电源电压范围内输入端耐受 3.3V 电压 fmax = 250MHz (3.3V) fmax = 200MHz(2.5V 和 1.8V) 工作温度范围:–40°C 至 125°C 采用 8 引脚 TSSOP 封装

  • LMK1C1102

    描述:高性能 1:4 LVCMOS 时钟缓冲器 输出偏斜极低,< 50ps 附加抖动极低,最大值 < 50fs VDD = 3.3V 时,典型值为 7.5fs VDD = 2.5V 时,典型值为 10fs VDD = 1.8V 时,典型值为 19.2fs 传播延迟极低,< 3ns 同步输出使能 电源电压:3.3V、2.5V 或 1.8V 在电源电压范围内输入端耐受 3.3V 电压 fmax = 250MHz (3.3V) fmax = 200MHz(2.5V 和 1.8V) 工作温度范围:–40°C 至 125°C 采用 8 引脚 TSSOP 封装

  • SN65LBC031

    描述:符合AEC Q100标准的汽车应用 温度等级1:–40°C至125°C TA 设备HBM认证等级:±8 kV 装置CDM认证等级:±1.5 kV 与LIN/A.2和LIN/A.2兼容的LIN/2.2开关特性 符合SAE J2602 LIN推荐规程 支持ISO 9141(K线) 支持12 V应用

  • TLIN2027-Q1

    描述:符合AEC Q100标准的汽车应用 温度等级1:–40°C至125°C TA 设备HBM认证等级:±8 kV 装置CDM认证等级:±1.5 kV 与LIN/A.2和LIN/A.2兼容的LIN/2.2开关特性 符合SAE J2602 LIN推荐规程 支持ISO 9141(K线) 支持12 V应用