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  • LMH6624-MIL

    描述:VS=±6伏,TA=25°C、 AV=20(除非另有规定,否则为典型值) 增益带宽1.5ghz 输入电压噪声0.92 nV/√赫兹 输入偏移电压(温度上限)700µ五 转换率350 V/µs 转换率(AV=10)400 V/µs f=10 MHz时的HD2,RL=100Ω –63分贝 f=10 MHz时的HD3,RL=100Ω –80分贝 电源电压范围5 V至12 V 改进的CLC42替代品

  • LMH6609-MIL

    描述:900兆赫−3dB带宽(AV=1) 大信号带宽和转换率100%测试 280兆赫−3dB带宽(AV=+2,VOUT=2VPP) 90mA线性输出电流 1400V电压/μs回转率 单位增益稳定 <1mV输入偏置电压 7mA电源电流(空载) 6.6V至12V电源电压范围 0.01%/0.026° 差分增益/相位PAL 3.1内瓦√赫兹电压噪声 改进了CLC440、CL420、CL426的替代品

  • LMC6482-MIL

    描述:典型,除非另有说明 轨对轨输入共模电压范围(确保过温) 轨对轨输出摆幅(电源轨20 mV以内,100-kΩ 负载) 确保3-V、5-V和15-V性能 优良的共模抑制比和PSRR:82db 超低输入电流:20 fA 高电压增益(RL=500KΩ): 130分贝 指定用于2-kΩ 和600-Ω 荷载 功率输出良好 在VSSOP包中提供

  • LMC6062-MIL

    描述:(最大限值,25°(除非另有说明) 输入电流(100%测试):25 fA 输入电流超温:2 pA 低功率:750µA 低VOS:350µ五 低噪音:22 nV/√频率为1 kHz,典型值

  • LMC6001-MIL

    描述:(最大限值,25°(除非另有说明) 输入电流(100%测试):25 fA 输入电流超温:2 pA 低功率:750µA 低VOS:350µ五 低噪音:22 nV/√频率为1 kHz,典型值

  • LM193QML-SP

    描述:提供辐射保证 总电离剂量100克拉(Si) ELDRS免费100克拉(Si) 广泛供应 电压范围:2.0VDC至36VDC 单电源或双电源:±1.0伏至±18伏 极低的电源电流消耗(0.4 mA)-与电源电压无关 低输入偏置电流:25毫安典型值 低输入偏置电流:±5 nA典型值 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压,典型值为4 mA时为250 mV 输出电压与TTL,DTL,ECL,MOS和CMOS逻辑系统兼容

  • LM158QML-SP

    描述:提供辐射规格 高剂量率100克拉(Si) ELDRS免费100克拉(Si) 单位增益内部频率补偿 直流电压增益大: 100分贝 宽带(单位增益): 1 MH z(温度补偿) 宽电源范围: 单电源: 3V至32V 或双电源: ±1.5V至±16伏 极低的电源电流消耗(500μ(一)− 基本上独立于电源电压 低输入偏移电压: 2毫伏 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 输出电压摆幅大: 0V至V+− 1.5伏

  • LM119QML-SP

    描述:可保证辐射 高剂量率100 krad(Si) ELDRS免费100克拉(Si) 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常80 ns响应时间±15伏 每侧至少有2个风扇 最大输入电流1μ温度过高 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率可保证辐射 高剂量率100 krad(Si) ELDRS免费100克拉(Si) 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常80 ns响应时间±15伏 每侧至少有2个风扇 最大输入电流1μ温度过高 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率

  • LM111QML-SP

    描述:可保证辐射 高剂量率50克拉(Si) 低剂量和无ELDRS 100 krad(Si) 由单个5V电源供电 输入电流:200毫安最大超温 偏置电流:20毫安最大超温 差分输入电压范围:±30伏 功耗:135 mW±15伏 电源电压,单个5V至±15伏 偏置电压零点能力 选通能力

  • OPA857-DIE

    描述:内部中级基准电压 伪差分输出电压 宽动态范围 闭环互阻抗带宽: 125MHz(5kΩ 互阻抗增益,1.5pF 外部寄生电容) 105MHz(20kΩ 互阻抗增益,1.5pF 外部寄生电容) 输入引入的电流噪声非常低(Brickwall 滤波器 BW = 135MHz): 15 nARMS(20kΩ 互阻抗) 超短过载恢复时间:< 25ns 内部输入保护二极管 电源: 电压:2.7V 至 3.6V 电流:23.4mA 扩展温度范围:-40°C 至 +85°C

  • OPA657-DIE

    描述:高增益带宽积:1.6GHz 高带宽:275MHz (G = 10) 转换率:700V/µs(G = 10,步长为 1V) 低输入偏移电压:±250µV 低输入偏置电流:2pA 低输入电压噪声:4.8nV/√Hz 高输出电流:70mA 快速过驱恢复

  • OPA656-DIE

    描述:单位增益带宽 低输入偏置电流 低偏移和漂移 低 DL 高输出电流 低输入电压噪声

  • LT1013-DIE

    描述:单电源供电 输入电压范围扩展至接地 灌电流时输出摆幅至接地 低电源电流 低峰峰值电压噪声 低电流噪声 应用 电池供电的精密仪表 仪表放大器 热电偶放大器 多重极限阈值检测 有源滤波器 多个增益块

  • LMV791-DIE

    描述:低噪声,CMOS 输入运算放大器 单位增益稳定的运算放大器 关断模式下,每通道的电源电流 低压低噪系统中的性能 应用范围 光电二极管放大器 有源滤波器 和缓冲器 低噪声信号处理 医疗器械 传感器接口应用

  • LMC6482QML

    描述:轨对轨输入共模电压范围(确保过温) 轨对轨输出摆幅(供电轨20mV以内,100KΩ 负载) 确保5V和15V性能 优良的共模抑制比和PSRR:82dB 超低输入电流:20fA 高压增益(RL=500KΩ): 130分贝 为2K指定Ω 和600Ω 荷载

  • LM6211-MIL

    描述:电源电压范围5V至24V 输入参考电压噪声5.5 nV/√ 赫兹 单位增益带宽20 MHz 1/f转角频率400 Hz 转换率5.6 V/μs 电源电流1.05 mA 低输入电容5.5 pF 温度范围-40°C至125°C级 总谐波失真0.01%@1 kHz,600Ω 输出短路电流25 mA

  • LM614-MIL

    描述:低工作电流:450μA 宽电源电压范围:4V至36V 宽共模范围:V− 至(V+− 1.8伏) 宽差分输入电压:±36伏 参考 可调输出电压:1.2V至5.0V 初始公差:±2.0% 工作电流范围宽:17μA至20mA 负载电容容限

  • LM393-MIL

    描述:单电源或双电源 电源电压范围宽 最大额定值:2 V至36 V 测试电压为30 V 独立于电源的低电源电流消耗 电压:每个比较器0.4 mA(典型值) 低输入偏置电流:25毫安(典型值) 低输入偏移电压:2 mV(典型) 共模输入电压范围包括接地 差分输入电压范围等于 最大额定电源电压:±36伏 低输出饱和电压 与TTL、MOS和CMOS兼容的输出 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数都要进行测试。 在所有其他产品上,生产过程不一定包括所有参数的测试。

  • LM139AQML

    描述:可保证辐射 总电离剂量100克拉(Si) ELDRS免费100克拉(Si) 宽电源电压范围 LM139/139A系列2至36 V DC或±1至±18伏直流电 极低的电源电流消耗(0.8 mA)-与电源电压无关 低输入偏置电流:25毫安 低输入偏置电流:±5不适用 偏移电压:±1毫伏 输入共模电压范围包括GND 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压:4 mA时为250 mV 输出电压与TTL,DTL,ECL,MOS和CMOS逻辑系统兼容

  • LM723QML

    描述:不带外通晶体管的150 mA输出电流 通过添加外部晶体管,输出电流可能超过10A 最大输入电压40V 输出电压从2V到37V可调 可以用作线性或开关稳压器

  • LM193QML

    描述:提供辐射保证 总电离剂量100克拉(Si) ELDRS免费100克拉(Si) 广泛供应 电压范围:2.0VDC至36VDC 单电源或双电源:±1.0伏至±18伏 极低电源电流消耗(0.4 mA)— 独立于电源电压 低输入偏置电流:25毫安典型值 低输入偏置电流:±5 nA典型值 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压,典型值为4 mA时为250 mV 输出电压与TTL,DTL,ECL,MOS和CMOS逻辑系统兼容

  • LM119QML

    描述:可保证辐射 高剂量率100克拉(Si) ELDRS免费100克拉(Si) 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常在±15V下80 ns响应时间 每侧至少有2个风扇 1μA过温最大输入电流 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率

  • LM111QML

    描述:可保证辐射 高剂量率50克拉(Si) 低剂量和无ELDRS 100 krad(Si) 由单个5V电源供电 输入电流:200毫安最大超温 偏置电流:20毫安最大超温 差分输入电压范围:±30伏 功耗:135 mW±15伏 电源电压,单个5V至±15伏 偏置电压零点能力 选通能力

  • LF156

    描述:优势 取代昂贵的混合和模块场效应晶体管 运放 坚固的JFET允许吹出自由处理 与MOSFET输入器件相比 适用于低噪音应用 高或低源阻抗–非常 低1/f角 偏移调整不会降低漂移或 共模抑制 单片放大器 新的输出级允许使用大的 无稳定性的电容性负载(5000 pF) 问题 内补偿大差动 输入电压能力

  • LF147

    描述:内部修整偏置电压:最大5 mV 低输入偏置电流:50Pa 低输入噪声电流:0.01 pA/√Hz 宽增益带宽:4MHz 高回转率:13 V/μs 低电源电流:7.2 mA 高输入阻抗:1012Ω 低总谐波失真:≤0.02% 低1/f噪声角:50 Hz 快速沉降时间为0.01%:2μs

  • OPA820-HT

    描述:高带宽 (在25°C时为240 MHz和在210°C时为100 MHz,G = 2) 高输出电流 (25°C时为±110 mA而在210°C时为50 mA) 低输入噪音 (在25°C时为2.5 nV/√Hz 而在210°C时为4.5 nV/√Hz) 低电源电流 (在25°C时为5.6mA而在210°C时为6.8mA) 灵活的电源电压: 双电源时为±2.5 V至±5 V 单电源时为+5 V

  • LM124-SP

    描述:QML-V合格,SMD 5962-7704301VCA、5962-9950403VCA和5962-9950403V9B 耐辐射:每天三次每次50克拉 (5962-9950403VCA和5962-9950403V9B)(1) TID剂量率=0.01 rad/sec(Si) 供应范围广 单电源:3 V至32 V 双电源:±1.5 V至±16 V 低电源电流消耗独立于 电源电压:0.8 mA(类型) 低输入偏置和偏置参数 输入偏置电压:1 mV型 输入偏置电流:2NA型 电流偏置输入:30毫安型 共模输入电压范围包括 地面,允许近地面直接感应 差动输入电压范围等于最大额定电源电压:±32 V 开环差分电压 放大:100 V/mV型 内部频率补偿

  • THS4521-HT

    描述:全差分架构 带宽: 40.7 MHz (210°C) 转换速率: 353.5 V/μs (210°C) HD2: –96 dBc,在 1 kHz (1 VRMS, RL = 1 kΩ) (210°C) HD3: –91.5 dBc,在 1 kHz (1 VRMS, RL = 1 kΩ) (210°C) 输入电压噪声: 19.95 nV/√Hz (f = 100 kHz) 开环增益: 90 dB (典型值)(210°C) NRI—负轨输入 RRO—轨至轨输出 输出共模控制 (具有低失调及低漂移) 电源 电压: 2.5 V (±1.25 V) 至 3.3 V (±1.65 V) 电流:每通道 1.4 mA (在 3.3 V 电压下) 断电能力: 10 µA (典型值)(210°C)

  • OPA4277-SP

    描述:符合 QMLV 标准:5962-16209 抗辐射加固保障 (RHA) 高达 50krad(Si) 总电离剂量 (TID) 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS)(请参阅辐射报告) 单粒子锁定 (SEL) 对于线性能量传输 (LET) 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg 超低偏移电压:20µV 超低漂移:±0.15µV/°C 高开环增益:134dB 高共模抑制比:140dB 高电源抑制比:130dB 宽电源电压范围:±2V 至 ±18V 低静态电流:800µA/放大器 采用 14 引线 CFP,具有行业标准四路运算放大器引脚

  • OPA2333-HT

    描述:低偏移电压:26µV(最大) 0.01-Hz至10 Hz噪声:1.5µVPP 静态电流:50µA 单电源操作 电源电压:1.8 V至5.5 V 轨对轨输入和输出 支持极端温度应用 受控基线 一个装配/试验现场 一个制造场地 提供极端温度(–55°C至210°C) 温度范围(1) 延长产品生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 德州仪器的高温产品使用 高度优化的硅(芯片)设计解决方案 和流程增强,以最大限度地 延长温度下的性能。

  • OPA211-HT

    描述:低电压噪声:1 kHz时为1.1 nV/√Hz 输入电压噪声: 80 nVPP(0.1 Hz至10 Hz) THD+N:–136dB(G=1,f=1kHz) 偏置电压:240µV(最大) 偏移电压漂移:0.35µV/°C(典型值) 低电源电流:6 mA/Ch(典型值) 单位增益稳定 增益带宽乘积: 80兆赫(G=100) 45兆赫(G=1) 转换速率:27 V/µs 16位:700 ns 供应范围广: ±2.25 V至±18 V,4.5 V至36 V 轨对轨输出 输出电流:30mA 应用 井下钻探 高温环境

  • LM139-SP

    描述:QML-V合格,SMD 5962-7700801VCA,5962-9673802VCA 和5962-9673802V9B 耐辐射:40克拉/秒(Si)TID (5962-9673802VCA和5962-9673802V9B)(1) TID剂量率=0.01 rad/sec(Si) 供应范围广 单电源:2 V至36 V (测试电压为30 V) 双电源:±1 V至±18 V (测试至±15 V) 与电源电压无关的低电源电流消耗: 0.8毫安(典型值) 低输入偏置电流:25毫安(典型值) 低输入偏置电流:3 nA(典型)(LM139) 低输入偏移电压:2 mV(典型值) 共模输入电压范围包括接地 差动输入电压范围等于最大额定值 电源电压:±36 V 低输出饱和电压 与TTL、MOS和CMOS兼容的输出

  • LM124AQML-SP

    描述:提供辐射规格 高剂量率100克拉(Si) ELDRS免费100克拉(Si) 单位增益内部频率补偿 大直流电压增益100db 宽带(单位增益)1 MHz (温度补偿) 宽电源范围:  单电源3V至32V

  • DLPA200

    描述:0.55 英寸微镜阵列对角线 1024 × 768 铝阵列,微米级微镜(XGA 分辨率) 10.8µm 微镜间距 ±12°微镜倾斜角 (相对于平板状态) 设计用于边缘照明 设计用于宽带可见光(420nm 至 700nm): 窗口传输 97%(单通、通过双窗面) 微镜反射率 88% 阵列衍射效率 86% 阵列填充因子 92% 16 位低压差分信令 (LVDS)、双倍数据速率 (DDR) 输入数据总线 200MHz 输入数据时钟速率 针对高速图形速率的专用 DLPC200 控制器 5,000Hz(1 位二进制图形) 500Hz(8 位灰度图形) 450 系列封装特性: 散热区域 18mm × 12mm,支持高屏幕流明 (>2000 lm) 149 微针栅阵列可靠电气连接 封装匹配 Amphenol InterCon 系统 450-2.700-L-13.25-149 插孔

  • DLPA100

    描述:3.3V 开关稳压器 - 逻辑电源 具有使能功能的 5V 开关稳压器 - 模拟电路电源 1.0V 至 3.3V 可调节开关稳压器 - 内核电源 具有使能功能的可调节线性稳压器 - 锁相环 (PLL) 电源 具有使能功能的可调节线性稳压器控制 - 模拟电源 2.5V 开关稳压器数字电源 电源序列控制 电源监控电路 适用于高侧驱动的集成电荷泵 三个风扇驱动器 热关断电路 串行通信接口 三相反电动势 (BEMF) 电动机驱动器/控制器 电机电源开关稳压器

  • DLP660TE

    描述:显示分辨率(最大)4K UHD(3840x2160) 组件类型DMD 微镜阵列尺寸2716x1528 芯片组系列DLP660TE、DLPC4422 微镜间距(um)5.4 输入帧速率(最大)(Hz)120 输入像素时钟(最大)(MHz)300 阵列对角线(英寸)0.66 视频端口2

  • DLP650NE

    描述:0.65英寸微镜阵列对角线 1080p(1920 x 1080) 7.56微米微镜间距 ±12°微镜倾斜角(相对于平面状态) 拐角照明 2x LVDS输入数据总线 专用DLPC4422显示控制器、DLPA100电源管理IC和电机驱动器,运行可靠

  • DLP650LE

    描述:0.65英寸对角线微镜阵列 WXGA(1280×800)阵列,具有>100万个微镜 10.8µm微镜间距 ±12°微镜倾斜角(相对于平面状态) 专为角落照明设计 2×LVDS输入数据总线 专用DLPC4422显示控制器和DLPA100电源管理设备及电机驱动器,运行可靠 DLPA200微镜驱动器

  • DLP550JE

    描述:0.55英寸微镜阵列对角线 XGA(1024×768) 10.8微米微镜间距 ±12°微镜倾角 (相对于平坦状态) 拐角照明 2xLVDS输入数据总线 专用DLPC4422显示控制器、DLPA100电源管理及电机驱动IC和DLPA200 DMD微镜驱动器,运行可靠

  • DLPA4000

    描述:高效、高电流 RGB LED 驱动器(具有高侧泵功能) 外部降压 FET 驱动器,驱动电流高达 32A 外部 RGB 开关驱动器 每个通道具有 10 位可编程电流 提供用于选择颜色顺序 RGB LED 的输入 可生成 DMD 高电压电源 两个高效降压转换器,用于生成 DLPC4422 控制器和 DMD 电源 高效 8 位可编程降压转换器 (PWR6),可用于风扇驱动器应用或一般用途 两个 LDO,用于提供辅助电压 模拟多路复用器,用于测量内部和外部节点 保护:热关断、热模、电池电量不足和欠压锁定 (UVLO)

  • DLP480RE

    描述:0.48英寸对角线微镜阵列 WUXGA(1920×1200)显示分辨率 5.4微米微镜间距 ±17°微镜倾斜(相对于平面) 底部照明 2xLVDS输入数据总线 专用DLPC4422显示控制器、DLPA100电源管理IC和电机驱动器,运行可靠

  • DLP470TE

    描述:0.47英寸对角线微镜阵列 4K UHD(3840×2160)显示分辨率 5.4微米微镜间距 ±17°微镜倾斜(相对于平面) 底部照明 2xLVDS输入数据总线 专用DLPC4422显示控制器、DLPA100电源管理IC和电机驱动器,运行可靠0.47英寸对角线微镜阵列 4K UHD(3840×2160)显示分辨率 5.4微米微镜间距 ±17°微镜倾斜(相对于平面) 底部照明 2xLVDS输入数据总线 专用DLPC4422显示控制器、DLPA100电源管理IC和电机驱动器,运行可靠

  • DLP470NE

    描述:0.47 英寸对角线微镜阵列 全高清/1080P (1920 x 1080) 5.4 微米微镜间距 ±17° 微镜倾斜(相对于平坦表面) 底部照明 2xLVDS 输入数据总线 通过专用的 DLPC4422 显示控制器、DLPA100 电源管理 IC 和电机驱动器实现可靠运行

  • DLPC4422

    描述:提供两个30位输入像素接口或一个60位输入像素接口: YUV、YCrCb或RGB数据格式 每种颜色8、9或10位 像素时钟支持高达175兆赫的30位和160兆赫的60位 支持24-30 Hz和47-120 Hz帧速率 DMD的完整单DLP控制器支持™最大1920像素宽 双DLP控制器支持使用DLP660TE TRP DMD的高达4K超高清(UHD)分辨率显示器 高速、低压差分信号(LVDS)DMD接口 150兆赫ARM946™ 微处理器

  • DLP471TE

    描述:0.47英寸对角线微镜阵列 1080p(1920×1080)显示分辨率 5.4-µm微镜间距 ±17°微镜倾斜(相对于平面) 底部照明 高速串行接口(HSSI)输入数据总线 支持高达240 Hz的全高清 由DLPC7540显示控制器、DLPA100电源管理和电机驱动IC支持的激光荧光粉、LED、RGB激光器和灯操作

  • DLP471NE

    描述:0.47英寸对角线微镜阵列 1080p(1920×1080)显示分辨率 5.4-µm微镜间距 ±17°微镜倾斜(相对于平面) 底部照明 高速串行接口(HSSI)输入数据总线 支持高达240 Hz的全高清 由DLPC7540显示控制器、DLPA100电源管理和电机驱动IC支持的激光荧光粉、LED、RGB激光器和灯操作

  • DLPC7540

    描述:组件式控制器 芯片组系列DLP471TE、DLP471NE、DLP650TE 输入帧速率(最大)(Hz)240

  • DLPC6401

    描述:提供一个 30 位输入像素接口: YUV,YCrCb 或 RGB 数据格式 每个色彩 8,9 或 10 位 像素时钟支持高达 150MHz 提供一个单通道、基于低压差分信令 (LVDS) 且 兼容平板显示 (FPD)-Link 的输入接口: 支持有效像素时钟速率高达 90MHz 的输入源 支持四种经解调的像素映射模式,适用于 8、9、10 路 YUV、YCrCb 或 RGB 格式的输入 支持 45Hz 至 120Hz 的帧速率 完全支持 Diamond 0.45 WXGA 高速、双倍数据速率 (DDR) 数字微镜器件 (DMD) 接口 149.33MHz ARM926微处理器 微处理器外设:

  • DLPC2607

    描述:支持 0.2 nHD、0.24 VGA 和 0.3 WVGA DMD 的可靠运行 多模式,24 位输入像素接口: 支持并行或 BT656 总线协议 支持从 QVGA 到 WVGA 的输入大小 支持 1 至 60Hz 的帧速率 支持高达 33.5MHz 的像素时钟 支持竖排和横排方向 支持 8、16、18 和 24 位总线选项 支持 3 输入色彩位深选项: RGB888,YCrCb888 RGB666,YCrCb666 RGB565,4:2:2 YCrCb

  • DLPA2000

    描述:高效 RGB LED/灯驱动器,在小型芯片级封装中集成了降压/升压直流/直流转换器、DMD 电源、DPP 内核电源、1.8V 负载开关以及测量系统 三个用于通道选择的低阻抗(27°C 时典型值为 30mΩ)金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 开关 每个通道具有独立的 10 位电流控制 针对 DLPA2000 嵌入式应用的最大 LED 电流为 750mA 片上电机驱动器 DMD 调节器 仅需一个电感器 VOFS:10V VBIAS:18V VRST:–14V 当禁用时对接地 (GND) 被动放电 DPP 1.1V 内核电源 具有集成开关 FET 的同步降压转换器 支持高达 600mA 的输出电流