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Image: UFS550J UFS550J Microsemi Corporation ultra fast rectifier (less than 100ns)
Image: UFS560G UFS560G Microsemi Corporation ultra fast rectifier (less than 100ns)
Image: UFS560J UFS560J Microsemi Corporation ultra fast rectifier (less than 100ns)
Image: UFS570G UFS570G Microsemi Corporation ultra fast rectifier (less than 100ns)
Image: UFS570J UFS570J Microsemi Corporation ultra fast rectifier (less than 100ns)
Image: UFS580G UFS580G Microsemi Corporation ultra fast rectifier (less than 100ns)
Image: UFS580J UFS580J Microsemi Corporation ultra fast rectifier (less than 100ns)
Image: UCC27712-Q1 UCC27712-Q1 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 符合面向汽车应用的 aec-q100标准 器件 hbm 分类等级 1C 器件 cdm 分类等级 c4b 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 100ns） 延迟匹配（典型值 12ns） 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
Image: UCC27712 UCC27712 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 100ns） 延迟匹配（典型值 12ns） 设计用于自举操作的悬空通道 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C

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