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Image: SDR622J SDR622J Solid States Devices, Inc 20a, 35nsec, 100-200 V hyper fast rectifier
Image: SDR622M SDR622M Solid States Devices, Inc 20a, 35nsec, 100-200 V hyper fast rectifier
Image: SDR622Z SDR622Z Solid States Devices, Inc 20a, 35nsec, 100-200 V hyper fast rectifier
Image: LMP2012QML-SP LMP2012QML-SP Texas Instruments 半导体 晶体管 吸收剂量50 krad (si) eldrs free 50 krad (si) tcvio 温度灵敏度(典型)0.015 v/° c (v s = 5v，除非另有说明)低温确保 vio 超过温度60 v 低噪声没有1/f 35nv/√ high cmrr 90 dbhigh psrr 90 dbwide 增益产品3mhzzmr 高转换率4v/srail-to-rail 输出30mvno 外部需要
Image: STTH5R06GY-TR STTH5R06GY-TR STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 diodes - general purpose, power, switching auto turbo 2 aecq101 5A 600vr 1.5vf 35ns
Image: SF35-B SF35-B Rectron 半导体 分离式半导体 rectifiers 3A 300v 35ns
Image: SF31-B SF31-B Rectron 半导体 分离式半导体 rectifiers 3A 50v 35ns
Image: STTH5R06BY-TR STTH5R06BY-TR STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 diodes - general purpose, power, switching auto turbo 2 aecq101 5A 600vr 1.5vf 35ns
Image: FESB16DT/31 FESB16DT/31 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 200 volt 16 amp 35ns single
Image: FESB16DT/81 FESB16DT/81 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 200 volt 16 amp 35ns single
Image: CRH01(TE85L,Q,M) CRH01(TE85L,Q,M) Toshiba 半导体 分离式半导体 rectifiers hed trrmax=35ns 1A vrrm=200v
Image: SF12-B SF12-B Rectron 半导体 分离式半导体 rectifiers 1A 100v 35ns
Image: ES2G-E3/52T ES2G-E3/52T Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 2.0 amp 400v 35ns
Image: FGP20D-E3/54 FGP20D-E3/54 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 200 volt 2.0A 35ns glass passivated
Image: ES3F-E3/9AT ES3F-E3/9AT Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 300 volt 3.0A 35ns glass passivated
Image: SF301A SF301A Rectron 半导体 分离式半导体 diodes - general purpose, power, switching sup fast rect 30a,50v,35ns
Image: ESM101-W ESM101-W Rectron 半导体 分离式半导体 rectifiers 1A 50v 35ns
Image: ESM102-W ESM102-W Rectron 半导体 分离式半导体 rectifiers 1A 100v 35ns
Image: EFM105-W EFM105-W Rectron 半导体 分离式半导体 rectifiers 1A 300v 35ns GP
Image: ESM104-W ESM104-W Rectron 半导体 分离式半导体 rectifiers 1A 200v 35ns

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