关键词883
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Image: MNLMH6628-X-RH MNLMH6628-X-RH Texas Instruments dual wideband, low-noise, voltage feedback OP amp, guaranteed TO 300k rd (si) tested TO mil-std-883, method 1019
Image: MNDS26F32M-X-RH MNDS26F32M-X-RH Texas Instruments quad differential line receivers also available guaranteed TO 100k rad(Si) tested TO mil-std-883, method 1019.5, condition A
Image: MNDS26F32MER-QML MNDS26F32MER-QML Texas Instruments quad differential line receivers also available guaranteed TO 100k rad(Si) tested TO mil-std-883, method 1019.5, condition A
Image: MNDS26F32MJ-QMLV MNDS26F32MJ-QMLV Texas Instruments quad differential line receivers also available guaranteed TO 100k rad(Si) tested TO mil-std-883, method 1019.5, condition A
Image: MNLM136A MNLM136A Texas Instruments 2.5V reference diode, guaranteed TO 100k rad(Si) tested TO mil-std-883, method 1019.5
Image: MNLM136A-2.5-X MNLM136A-2.5-X Texas Instruments 2.5V reference diode, guaranteed TO 100k rad(Si) tested TO mil-std-883, method 1019.5
Image: MNLM136A-2.5-X-RH MNLM136A-2.5-X-RH Texas Instruments 2.5V reference diode, guaranteed TO 100k rad(Si) tested TO mil-std-883, method 1019.5
Image: MNDS26F32MWGRQMLV MNDS26F32MWGRQMLV Texas Instruments quad differential line receivers also available guaranteed TO 100k rad(Si) tested TO mil-std-883, method 1019.5, condition A
Image: MNDS26F32MWRQMLV MNDS26F32MWRQMLV Texas Instruments quad differential line receivers also available guaranteed TO 100k rad(Si) tested TO mil-std-883, method 1019.5, condition A
Image: MNDS26F32MW-QMLV MNDS26F32MW-QMLV Texas Instruments quad differential line receivers also available guaranteed TO 100k rad(Si) tested TO mil-std-883, method 1019.5, condition A
Image: MNDS26F32MJR-QML MNDS26F32MJR-QML Texas Instruments quad differential line receivers also available guaranteed TO 100k rad(Si) tested TO mil-std-883, method 1019.5, condition A
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Image: MNDS26F32MWR-QML MNDS26F32MWR-QML Texas Instruments quad differential line receivers also available guaranteed TO 100k rad(Si) tested TO mil-std-883, method 1019.5, condition A
Image: MVIP3020BAX MVIP3020BAX MMD Components mil-std-883 level B screening available
Image: MVIL2020BAX MVIL2020BAX MMD Components mil-std-883 level B screening available
Image: MVIL3020BAX MVIL3020BAX MMD Components mil-std-883 level B screening available
Image: AD537 AD537 Analog Devices Inc 集成电路 数据采集 - 模数转换器 低成本模数转换 多功能输入放大器 - 正或负电压模式 - 负电流模式 - 高输入阻抗、低漂移 单电源供电：5 V至36 V 线性度：±0.05% FS 低功耗：1.2 mA静态电流 满量程频率最高达100 khz 1.00 V 基准电压 温度计输出(1 mV/K) F-V 应用 提供符合mil-std-883标准的版本
Image: SN65HVD230Q SN65HVD230Q Texas Instruments 半导体 接口 合格汽车应用 根据mil-std-883方法3015，esd保护超过2000 V； 使用机器型号时超过200 V（C=200 pF，R=0） 使用3.3伏电源供电 pca82c250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚esd保护超过15 kV hbm 改善信号的受控驱动器输出转换时间 sn65hvd230q和sn65hvd231q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合iso 11898标准的要求 低电流sn65hvd230q待机模式370µA典型 低电流sn65hvd231q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒（mbps）的信令速率 过温度保护
Image: SN65HVD231Q SN65HVD231Q Texas Instruments 半导体 接口 合格汽车应用 根据mil-std-883方法3015，esd保护超过2000 V； 使用机器型号时超过200 V（C=200 pF，R=0） 使用3.3伏电源供电 pca82c250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚esd保护超过15 kV hbm 改善信号的受控驱动器输出转换时间 sn65hvd230q和sn65hvd231q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合iso 11898标准的要求 低电流sn65hvd230q待机模式370µA典型 低电流sn65hvd231q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒（mbps）的信令速率 过温度保护
Image: SN65HVD232Q SN65HVD232Q Texas Instruments 半导体 接口 合格汽车应用 根据mil-std-883方法3015，esd保护超过2000 V； 使用机器型号时超过200 V（C=200 pF，R=0） 使用3.3伏电源供电 pca82c250占地面积的低功耗替代品 总线/引脚esd保护超过15 kV hbm 改善信号的受控驱动器输出转换时间 sn65hvd230q和sn65hvd231q的质量 无动力节点不会干扰总线 符合iso 11898标准的要求 低电流sn65hvd230q待机模式370µA典型 低电流sn65hvd231q休眠模式0.1µA典型值 设计用于高达1兆位/秒（mbps）的信令速率 过温度保护

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