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Image: ISL6227CA-T ISL6227CA-T Intersil Corporation 集成电路 PMIC - 稳压器 - 专用型 IC controller ddr, ddr2 28qsop
Image: CM3202-00DE CM3202-00DE ON Semiconductor 集成电路 PMIC - 稳压器 - 专用型 IC converter ddr ddr2 wdfn8
Image: CM3202-02DE CM3202-02DE ON Semiconductor 集成电路 PMIC - 稳压器 - 专用型 IC converter ddr ddr2 wdfn8
Image: BR34E02FVT-W_09 BR34E02FVT-W_09 ROHM Semiconductor ddr/ddr2 (for memory module) spd memory
Image: BR34E02FVT-WTR BR34E02FVT-WTR ROHM Semiconductor ddr/ddr2 (for memory module) spd memory
Image: NE57810TK NE57810TK NXP Semiconductors 电源 电源管理 IC ne57810tk旨在为终止双倍数据速率（ddr）SDram存储器总线提供电源。与以前的解决方案相比，它大大减少了零件数量，电路板空间和整个系统的成本。 ne57810tk ddr终端匹配稳压器维持的输出电压（ddr参考总线电压）为ram电源电压的一半。它能够持续提供高达±3.5 A的电流。过电流限制功能可以保护ne57810tk在启动时免受浪涌电流的影响。过热关机功能可在极端温度情况下保护设备。 该封装具有出色的热稳定性，可灵活实现热设计。ne57810tk是线性稳压器，因此不需要外部电感器或开关fet。对负载变化的快速响应减少了对输出电容器的需求。 减 特征 快速的瞬态响应时间 过热保护 过流保护 商业（0°C至+70°C）温度范围 减少了对外部组件（开关fet，电感器，去耦电容器）的需求 内部分压器将端接电压维持在存储器电源电压的一半 参考其他内存和控制组件 可选的外部基准电压源，可实现灵活的应用 与ddr-I（V DD = 2.5 V）或ddr-II（V DD = 1.8 V）SDram系统兼容
Image: 87639-1030 87639-1030 Molex 连接器 存储器连接器 dimm connectors 1.27mm 25deg rev ddr ddr dimm gflf 184ckt
Image: 87639-1130 87639-1130 Molex 连接器 存储器连接器 dimm connectors 1.27mm 25deg rev ddr ddr dimm gflf 184ckt
Image: 48212-1100 48212-1100 Molex ddr / ddr 2 sodimm connectors
Image: 48212-1200 48212-1200 Molex ddr / ddr 2 sodimm connectors
Image: 48213-0100 48213-0100 Molex ddr / ddr 2 sodimm connectors
Image: 48213-0200 48213-0200 Molex ddr / ddr 2 sodimm connectors
Image: 48213-1100 48213-1100 Molex ddr / ddr 2 sodimm connectors
Image: 48213-1200 48213-1200 Molex ddr / ddr 2 sodimm connectors
Image: 48212-0100 48212-0100 Molex ddr / ddr 2 sodimm connectors
Image: 48212-0200 48212-0200 Molex ddr / ddr 2 sodimm connectors
Image: AM3359 AM3359 Texas Instruments 嵌入式解决方案 处理器模块和开发工具 高达 1ghz sitara™ arm® cortex®-A8 32 位精简指令集计算机 (risc) 处理器 neon™单指令流多数据流 (simd) 协处理器 32kb L1 指令和 32kb 带有单位检错（奇偶校验）的数据缓存 带有错误校正码 (ecc) 的 256kb L2 缓存 176kb 片载启动 rom 64kb 专用 ram 仿真和调试 - jtag 中断控制器（最多可控制 128 个中断请求） 片上存储器（共享 L3 ram） 64kb 通用片上存储器控制器 (ocmc) 随机存取存储器 (ram) 可访问所有主机 支持保持以实现快速唤醒 外部存储器接口 (emif) mddr(lpddr)、ddr2、ddr3、ddr3L 控制器： mddr：200mhz 时钟（400mhz 数据速率） ddr2：266mhz 时钟（532mhz 数据速率） ddr3：400mhz 时钟（800mhz 数据速率） ddr3L：400mhz 时钟（800mhz 数据速率）
Image: AM3358 AM3358 Texas Instruments 嵌入式解决方案 处理器模块和开发工具 高达 1ghz sitara™ arm® cortex®-A8 32 位精简指令集计算机 (risc) 处理器 neon™单指令流多数据流 (simd) 协处理器 32kb L1 指令和 32kb 带有单位检错（奇偶校验）的数据缓存 带有错误校正码 (ecc) 的 256kb L2 缓存 176kb 片载启动 rom 64kb 专用 ram 仿真和调试 - jtag 中断控制器（最多可控制 128 个中断请求） 片上存储器（共享 L3 ram） 64kb 通用片上存储器控制器 (ocmc) 随机存取存储器 (ram) 可访问所有主机 支持保持以实现快速唤醒 外部存储器接口 (emif) mddr(lpddr)、ddr2、ddr3、ddr3L 控制器： mddr：200mhz 时钟（400mhz 数据速率） ddr2：266mhz 时钟（532mhz 数据速率） ddr3：400mhz 时钟（800mhz 数据速率） ddr3L：400mhz 时钟（800mhz 数据速率） 16 位数据总线 1gb 全部可寻址空间 支持一个 x16 或两个 x8 存储器件配置 通用存储器控制器 (gpmc) 灵活的 8 位和 16 位异步存储器接口，具有多达七个片选（nand、nor、复用 nor 和 Sram） 使用 bch 代码，支持 4 位、8 位或 16 位 ecc 使用海明码来支持 1 位 ecc
Image: AM3357 AM3357 Texas Instruments 嵌入式解决方案 处理器模块和开发工具 高达 1ghz sitara™ arm® cortex®-A8 32 位精简指令集计算机 (risc) 处理器 neon™单指令流多数据流 (simd) 协处理器 32kb L1 指令和 32kb 带有单位检错（奇偶校验）的数据缓存 带有错误校正码 (ecc) 的 256kb L2 缓存 176kb 片载启动 rom 64kb 专用 ram 仿真和调试 - jtag 中断控制器（最多可控制 128 个中断请求） 片上存储器（共享 L3 ram） 64kb 通用片上存储器控制器 (ocmc) 随机存取存储器 (ram) 可访问所有主机 支持保持以实现快速唤醒 外部存储器接口 (emif) mddr(lpddr)、ddr2、ddr3、ddr3L 控制器： mddr：200mhz 时钟（400mhz 数据速率） ddr2：266mhz 时钟（532mhz 数据速率） ddr3：400mhz 时钟（800mhz 数据速率） ddr3L：400mhz 时钟（800mhz 数据速率） 16 位数据总线 1gb 全部可寻址空间 支持一个 x16 或两个 x8 存储器件配置 通用存储器控制器 (gpmc) 灵活的 8 位和 16 位异步存储器接口，具有多达七个片选（nand、nor、复用 nor 和 Sram） 使用 bch 代码，支持 4 位、8 位或 16 位 ecc 使用海明码来支持 1 位 ecc
Image: AM3356 AM3356 Texas Instruments 嵌入式解决方案 处理器模块和开发工具 高达 1ghz sitara™ arm® cortex®-A8 32 位精简指令集计算机 (risc) 处理器 neon™单指令流多数据流 (simd) 协处理器 32kb L1 指令和 32kb 带有单位检错（奇偶校验）的数据缓存 带有错误校正码 (ecc) 的 256kb L2 缓存 176kb 片载启动 rom 64kb 专用 ram 仿真和调试 - jtag 中断控制器（最多可控制 128 个中断请求） 片上存储器（共享 L3 ram） 64kb 通用片上存储器控制器 (ocmc) 随机存取存储器 (ram) 可访问所有主机 支持保持以实现快速唤醒 外部存储器接口 (emif) mddr(lpddr)、ddr2、ddr3、ddr3L 控制器： mddr：200mhz 时钟（400mhz 数据速率） ddr2：266mhz 时钟（532mhz 数据速率） ddr3：400mhz 时钟（800mhz 数据速率） ddr3L：400mhz 时钟（800mhz 数据速率）

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