关键词fom
标准
为您共找出"136"个相关器件
图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: IPP111N15N3G IPP111N15N3G Infineon Technologies optimostm3 power-transistor features excellent gate charge x R DS(on) product (fom)
Image: IPB600N25N3G IPB600N25N3G Infineon Technologies optimostm3 power-transistor features excellent gate charge x R DS(on) product (fom)
Image: IPP600N25N3G IPP600N25N3G Infineon Technologies optimostm3 power-transistor features excellent gate charge x R DS(on) product (fom)
Image: IPI600N25N3G IPI600N25N3G Infineon Technologies optimostm3 power-transistor features excellent gate charge x R DS(on) product (fom)
Image: IPB072N15N3G IPB072N15N3G Infineon Technologies optimos?3 power-transistor features excellent gate charge x R DS(on) product (fom)
Image: STD95N2LH5 STD95N2LH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 描述 这种stripfet ?? V功率mosfet技术是最新的改进之一，这些技术经过特别定制以实现极低的导通状态电阻，这也是同类产品中最佳的fom（品质因数）之一。 所有功能 R DS（on） * Q g行业基准 高雪崩强度 极低的导通电阻R DS（on） 栅极驱动功率损耗低
Image: STL10N3LLH5 STL10N3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 描述 该器件是使用意法半导体的stripfet™V技术开发的N沟道功率mosfet。该器件经过优化，可实现非常低的导通电阻，从而使fom成为同类产品中最好的。 所有功能 R DS（on） * Q g行业基准 极低的导通电阻R DS（on） 开关栅极电荷极低 高雪崩强度 栅极驱动功率损耗低
Image: STL40DN3LLH5 STL40DN3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 这个器件是一个 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettm h 5技术开发。该装置经过优化，实现了非常低的通态电阻，从而使 fom 在同类产品中名列前茅。 aec-q101质量低通态电阻高雪崩加固/低栅极驱动功率损耗可控侧翼封装
Image: STL56N3LLH5 STL56N3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 描述 该器件是使用意法半导体的stripfet H5技术开发的N沟道功率mosfet。该器件经过优化，可实现非常低的导通电阻，从而使fom成为同类产品中最好的。 所有功能 低导通电阻R DS（on） 高雪崩强度 低栅极驱动功率损耗
Image: STL58N3LLH5 STL58N3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 描述 该器件是使用意法半导体的stripfet™H5技术开发的N沟道功率mosfet。该器件经过优化，可实现非常低的导通电阻，从而使fom成为同类产品中最好的。 所有功能 专为汽车应用而设计，且符合aec-q101标准 低导通电阻 高雪崩强度 低栅极驱动功率损耗 可湿的侧面包装
Image: STL66DN3LLH5 STL66DN3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 这个器件是一个双 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettmh 5技术开发。该设备已经优化，以实现非常低的通态电阻，有助于一个最好的 fom，其中在同类。设计用于汽车应用和 aec-q101限定逻辑级别 v gs (th)175 ° c 最大结温度可湿性侧面包装
Image: STL66N3LLH5 STL66N3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 这个器件是一个 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettm h 5技术开发。该装置经过优化以实现非常低的通态电阻，从而使 fom 在同类产品中名列前茅。 aec-q101质量低通态电阻 r ds (on)高雪崩加固/低栅极驱动电源可损耗的侧翼封装
Image: STL6N2VH5 STL6N2VH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 描述 该器件是使用意法半导体的stripfet™V技术开发的N沟道功率mosfet。该器件经过优化，可实现非常低的导通电阻，从而使fom成为同类产品中最好的。 所有功能 开关栅极电荷极低 极低的热阻 传导损耗减少 减少开关损耗 2.5 V栅极驱动 阈值极低的设备
Image: 6536509-3 6536509-3 TE Connectivity 光电子 光纤 fiber optic cable assemblies fomm50 lead 1.8mz LC-SC dpx 3M
Image: 5349573-5 5349573-5 TE Connectivity 光电子 光纤 fiber optic cable assemblies fomm62.5 lead 2.5S ST/PC-ST/PC
Image: 5349573-1 5349573-1 TE Connectivity 光电子 光纤 fiber optic cable assemblies fomm62.5 lead 2.5S ST/PC-ST/PC
Image: 2-5349573-0 2-5349573-0 TE Connectivity 光电子 光纤 fiber optic cable assemblies fomm62.5 lead 2.5S ST/PC-ST/PC
Image: 1536464-2 1536464-2 TE Connectivity 光电子 光纤 fiber optic cable assemblies fomm50 lead om3 2.5 TZ SC/PC-S
Image: 349568-4 349568-4 TE Connectivity 电线和电缆 电缆组件 fiber optic cable assemblies fomm50 pigtail 0.9 SC/PC 2M
Image: 1-1536464-5 1-1536464-5 TE Connectivity 电线和电缆 电缆组件 fiber optic cable assemblies fomm om3 50/125 2.5 SC-SC

©2000-  21IC电子网版权所有

京ICP备11013301号 京公网安备 11010802024343号