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描述
IM393-X6E
Infineon Technologies
半导体
功率驱动器 - 模块
im393
-
x6e
是基于
600
V 、20 A
igbt
的带有开路发射极
cipos
™
tiny
三相智能功率模块,它采用
dip
34x15
封装(引脚长5.
55mm
),带有开路发射极,具有出色的导热性,适用于各种家电、低功率工业驱动器等电机驱动应用,是一个功能全面的紧凑型逆变器解决方案。 特征描述 基于低
vce
(
sat
)
trenchstop
™
igbt
6,可实现最佳效率 集成自举功能 单个三相
hvic
可提供完善的系统保护 欠压锁定 抗交叉传导 额定最高
tcase
为
125
°C 获得UL认证 优势 削减家电电机驱动系统成本与尺寸 额定电流高达
20a
时的最小
ipm
提高系统效率 降低结温,提高可靠性 提供多个引脚长度
IM393-S6E3
Infineon Technologies
半导体
功率驱动器 - 模块
im393
-
s6e3
是
600
V、6 A
igbt
的带有开路发射极
cipos
™
tiny
三相智能功率模块,它采用
dip
34x15
封装(引脚长3.
60mm
),具有出色的导热性,适用于各种家电、低功率工业驱动器等电机驱动应用,是一个功能全面的紧凑型逆变器解决方案。 特征描述 基于低
vce
(
sat
)
trenchstop
™
igbt
6,可实现最佳效率 集成自举功能 单个三相
hvic
可提供完善的系统保护 欠压锁定 抗交叉传导 额定最高
tcase
为
125
°C 获得UL认证 优势 削减家电电机驱动系统成本与尺寸 额定电流高达
20a
时的最小
ipm
提高系统效率 降低结温,提高可靠性 提供多个引脚长度
IM393-S6E2
Infineon Technologies
半导体
功率驱动器 - 模块
im393
-
s6e2
是
600
V、6 A
igbt
的带有开路发射极
cipos
™
tiny
三相智能功率模块,它采用
dip
34x15
封装(引脚长2.
9mm
),具有出色的导热性,适用于各种家电、低功率工业驱动器等电机驱动应用,是一个功能全面的紧凑型逆变器解决方案。 特征描述 特征描述 基于低
vce
(
sat
)
trenchstop
™
igbt
6,可实现最佳效率 集成自举功能 单个三相
hvic
可提供完善的系统保护 欠压锁定 抗交叉传导 额定最高
tcase
为
125
°C 获得UL认证 优势 削减家电电机驱动系统成本与尺寸 额定电流高达
20a
时的最小
ipm
提高系统效率 降低结温,提高可靠性 提供多个引脚长度
IM393-S6E
Infineon Technologies
半导体
功率驱动器 - 模块
im393
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s6e
是基于
600
V、6 A
igbt
的带有开路发射极
cipos
™
tiny
三相智能功率模块,它采用
dip
34x15
封装(引脚长5.
55mm
),具有出色的导热性,适用于各种家电、低功率工业驱动器等电机驱动应用,是一个功能全面的紧凑型逆变器解决方案。 特征描述 基于低
vce
(
sat
)
trenchstop
™
igbt
6,可实现最佳效率 集成自举功能 单个三相
hvic
可提供完善的系统保护 欠压锁定 抗交叉传导 额定最高
tcase
为
125
°C 获得UL认证 优势 削减家电电机驱动系统成本与尺寸 额定电流高达
20a
时的最小
ipm
提高系统效率 降低结温,提高可靠性 提供多个引脚长度
IXXN200N60B3
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
600v
igbt
genx3
xpt
igbt
IXYN100N120C3H1
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
1200v
igbt
genx3
xpt
igbt
IXXN200N60B3H1
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
600v
igbt
genx3
xpt
igbt
IXYP8N90C3
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
900v
igbt
genx3
xpt
igbt
FZ400R12KS4
Infineon Technologies
半导体
分离式半导体
igbt
module
s
igbt
-
module
/
igbt
-
inverter
IXYH50N120C3D1
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
1200v
igbt
genx6
xpt
igbt
IRG7PH30K10PBF
International Rectifier
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
trnch
igbt
1200v
10a
single
igbt
IXA12IF1200PB
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
1200v
igbt
genx3
xpt
igbt
IXXH50N60B3D1
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
600v
igbt
genx3
xpt
igbt
IXYH30N120C3D1
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
1200v
igbt
genx4
xpt
igbt
IXXR100N60B3H1
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
600v
igbt
genx3
xpt
igbt
IXYJ20N120C3D1
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
1200v
igbt
genx7
xpt
igbt
IXYH40N120C3D1
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
1200v
igbt
genx5
xpt
igbt
IXXH30N60B3D1
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
600v
igbt
genx3
xpt
igbt
IXYH40N90C3D1
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
xpt
900v
igbt
genx3
xpt
igbt
IXYH20N120C3D1
IXYS
半导体
分离式半导体
igbt
transistors
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igbt
genx3
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