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Image: SMA6T33AY SMA6T33AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T33CAY SMA6T33CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T36AY SMA6T36AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T36CAY SMA6T36CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T39AY SMA6T39AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T39CAY SMA6T39CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T47AY SMA6T47AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T47CAY SMA6T47CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T56AY SMA6T56AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T56CAY SMA6T56CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T6V7AY SMA6T6V7AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: 74LCX760 74LCX760 ON Semiconductor 半导体 逻辑 lcx760 是 lcx244 的开极-漏极版本。lcx760 包含八个独立的具有 3 态输出的非反相缓冲器。该器件可用作内存地址驱动器、时钟驱动器和总线导向的发射器/接收器。lcx760 适用于低压（2.5V 或 3.3V）vcc 应用，能够联接 5V 信号环境。lcx760 采用先进的 cmos 工艺，在保持 cmos 低功耗的同时，实现了高速运行。 特性 lcx244的漏极开路版本 5V容差输入和输出 提供2.3V-3.6V vcc规格 8.0 ns tpd最大值(vcc = 3.3V)，10 µA icc最大值 掉电高阻抗输入和输出 支持带电插/拔（注1） ±24 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁符合jedec jed78规定 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v
Image: SMA6T6V7CAY SMA6T6V7CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T82CAY SMA6T82CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: 74VCX00 74VCX00 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vcx00 包含四个 2 输入 nand 门极。此产品适用于低电压（1.2V 至 3.6V）vcc 应用，I/O 能力达 3.6V。vcx00 采用先进的 cmos 工艺，在保持 cmos 低功耗的同时，实现了高速运行。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 对于3.0V至3.6V vcc，最大值为tpd 2.8 ns 断电高阻抗输入和输出 3.0V vcc时，静态驱动(ioh/iol) ±24 mA 使用专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超越jedec 78条件 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 250v 无引线无铅dqfn封装
Image: 74VCX86 74VCX86 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vcx86包含四个2输入异或门。 此产品设计用于I/O兼容性达到3.6V的低压（1.2V至3.6V）vcc应用。 74vcx86采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 对于3.0V至3.6V vcc，最大值为tpd 3.0ns 断电高阻抗输入和输出 3.0V vcc时，静态驱动(ioh/iol) ±24 mA 使用专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超越jedec 78条件 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 250v 无引线无铅dqfn封装
Image: MC74ACT00 MC74ACT00 ON Semiconductor 半导体 逻辑 特性 输出驱动能力：+/- 24 mA 工作电压范围：2至6 V ac00；4.5至5.5 act00 低输入电流：1 µA cmos器件的高抗噪特性 符合jedec标准7A要求 提供无铅封装。
Image: MC74HC00A MC74HC00A ON Semiconductor 半导体 逻辑 四路 2 输入 nand 门极。高性能硅门极 cmos。mc74hc00a 与 ls00 的引脚输出相同。该器件输入与标准 cmos 输出兼容；带有上拉电阻，它们与 LSttl 输出兼容。 特性 输出驱动能力：10 LSttl负载 输出直接接口至cmos，nmos和ttl 工作电压范围：2至6 V 低输入电流：1 µA cmos器件的高抗噪特性 符合jedec标准7A要求 芯片复杂度：32个fet或8个等效门 提供pbfree软件包
Image: MC74HC00A MC74HC00A ON Semiconductor 半导体 逻辑 四路 2 输入 nand 门极。高性能硅门极 cmos。mc74hc00a 与 ls00 的引脚输出相同。该器件输入与标准 cmos 输出兼容；带有上拉电阻，它们与 LSttl 输出兼容。 特性 输出驱动能力：10 LSttl负载 输出直接接口至cmos，nmos和ttl 工作电压范围：2至6 V 低输入电流：1 µA cmos器件的高抗噪特性 符合jedec标准7A要求 芯片复杂度：32个fet或8个等效门 提供pbfree软件包
Image: MC74HC02A MC74HC02A ON Semiconductor 半导体 逻辑 高性能硅门极 cmos mc74hc02a 与 ls02 的引脚输出相同。该器件输入兼容标准的 cmos 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSttl 输出。 特性 输出驱动能力：10 LSttl负载 输出直接接口至cmos，nmos和ttl 工作电压范围：2.0至6.0 V 低输入电流：1.0 m A cmos器件的高抗噪特性 符合jedec标准7A定义的要求 芯片复杂度：40个fet或10个等效门 提供无铅封装

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