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Image: RD3H200SN RD3H200SN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 45v 20a功率mosfet_rd3h200sn rd3h200sn是低导通电阻的功率mosfet，适用于开关。
Image: RD3G600GN RD3G600GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 nch 40v 60a功率mosfet_rd3g600gn rd3g600gn是一款具有低导通电阻和高功率封装（TO-252）的功率mosfet，适用于开关。
Image: RD3G500GN RD3G500GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 40v 50a功率mosfet_rd3g500gn rd3g500gn是用于开关应用的低导通电阻mosfet。
Image: RD3G400GN RD3G400GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 40v 40a功率mosfet_rd3g400gn rd3g400gn是一款具有低导通电阻和大功率封装（TO-252）的功率mosfet，适用于开关。
Image: RZM002P02 RZM002P02 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.2V驱动pch mosfet_RZM002P02 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RZM001P02 RZM001P02 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.2V驱动pch mosfet_RZM001P02 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RZF030P01 RZF030P01 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动pch mosfet_RZF030P01 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RZF020P01 RZF020P01 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动pch mosfet_RZF020P01 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RZF013P01 RZF013P01 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动pch mosfet_RZF013P01 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RV5C040AP RV5C040AP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -20v -4.0A小信号mosfet_RV5C040AP rv5a040ap是一种负载开关用mosfet。小型dfn封装中内置了GS保护二极管。
Image: RV5A040AP RV5A040AP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -12v -4.0A小信号mosfet_rv5a040ap rv5a040ap是用于开关，带有GS保护二极管的负载开关的mosfet。
Image: RV2C014BC RV2C014BC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -20v -1.4A小信号mosfet_rv2c014bc rv2c014bc是小型大功率封装（1006尺寸）的开关用mosfet。
Image: RV2C001ZP RV2C001ZP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.2V驱动型pch小信号MOSFET_rv2c001zp 超小型封装（1006尺寸）的rv2c001zp适用于便携式设备等。
Image: RV1C001ZP RV1C001ZP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.2V驱动型pch小信号mosfet_rv1c001zp 0806尺寸的超小型封装。
Image: RU1E002SP RU1E002SP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动pch mosfet_RU1E002SP 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RU1C002ZP RU1C002ZP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.2V驱动pch mosfet_RU1C002ZP 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RU1C001ZP RU1C001ZP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 1.2V驱动nch mosfet_RU1C001ZP 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RSM002P03 RSM002P03 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动pch mosfet_RSM002P03 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RSJ250P10 RSJ250P10 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -100v -25a功率mosfet_RSJ250P10 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用新流程的“针对开关电源的高效率高耐圧设备”，而实现节能的功率mosfet，具有丰富的产品线可以对应各种市场需求。
Image: RSJ151P10 RSJ151P10 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动型pch mosfet_RSJ151P10 4V驱动pch mosfet

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