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Image: RQ3E150GN RQ3E150GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RQ3E150GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型，大功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。
Image: RQ3E150BN RQ3E150BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 15a中功率mosfet_rq3e150bn rq3e150bn是大功率封装（hsmt8）的中功率mosfet。
Image: RQ3E130BN RQ3E130BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 13a中功率mosfet_rq3e130bn rq3e130bn是大功率封装（hsmt8）的mosfet。
Image: RQ3E120GN RQ3E120GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RQ3E120GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型，大功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。
Image: RQ3E120BN RQ3E120BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 12a中功率MOSFET_rq3e120bn 大功率封装（hsmt8）的rq3e120bn具有低导通电阻，适用于开关用途。
Image: RQ3E110AJ RQ3E110AJ Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 24a功率mosfet_rq3e110aj rq3e110aj是小型表面贴装封装的低导通电阻mosfet，最适合开关用途。
Image: RQ3E100GN RQ3E100GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 4.5V驱动型nch mosfet_RQ3E100GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型，大功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。
Image: RQ3E100BN RQ3E100BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 10a中功率mosfet_rq3e100bn rq3e100bn是开关用途的中功率mosfet。
Image: RQ3E080GN RQ3E080GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RQ3E080GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型，大功率，复合化的丰富产品规模，可满足多样的市场需求。
Image: RQ3E080BN RQ3E080BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 8A中功率mosfet_rq3e080bn rq3e080bn是大功率封装（hsmt8）的中功率mosfet。
Image: RQ3E070BN RQ3E070BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 7A中功率mosfet_rq3e070bn rq3e070bn是大功率封装（hsmt8）的mosfet，适用于开关用途。
Image: RQ1E100XN RQ1E100XN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动nch mosfet_RQ1E100XN 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RQ1E075XN RQ1E075XN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动nch mosfet_RQ1E075XN 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RQ1C075UN RQ1C075UN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动nch mosfet_RQ1C075UN 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RQ1C065UN RQ1C065UN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.5V驱动nch mosfet_RQ1C065UN 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RK7002BM RK7002BM Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch mosfet_RK7002BM 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RJP020N06 RJP020N06 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch mosfet_RJP020N06 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RJ1P12BBD RJ1P12BBD Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 100v 120a功率mosfet_rj1p12bbd rj1p12bbd是低导通电阻的功率mosfet，适用于开关。
Image: RJ1L12DGN RJ1L12DGN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 60v 120a功率mosfet_rj1l12dgn rj1l12dgn是一种表面贴装封装，低导通电阻的开关用功率mosfet。
Image: RJ1L12CGN RJ1L12CGN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 60v 120a功率mosfet_rj1l12cgn rj1l12cgn是用于开关应用的低导通电阻和小型表面贴装封装mosfet。

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