关键词mosfet
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图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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RQ1E075XN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch mosfet_RQ1E075XN 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
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RQ1C075UN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.5V驱动nch mosfet_RQ1C075UN 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
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RQ1C065UN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.5V驱动nch mosfet_RQ1C065UN 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
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RK7002BM | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch mosfet_RK7002BM 电界效应晶体管的mosfet。提供通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
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RJP020N06 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch mosfet_RJP020N06 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
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RJ1P12BBD | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 100v 120a功率mosfet_rj1p12bbd rj1p12bbd是低导通电阻的功率mosfet,适用于开关。 | |
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RJ1L12DGN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 60v 120a功率mosfet_rj1l12dgn rj1l12dgn是一种表面贴装封装,低导通电阻的开关用功率mosfet。 | |
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RJ1L12CGN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 60v 120a功率mosfet_rj1l12cgn rj1l12cgn是用于开关应用的低导通电阻和小型表面贴装封装mosfet。 | |
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RJ1L12BGN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 60v 120a功率mosfet_rj1l12bgn rj1l12bgn是用于开关应用的低导通电阻和小型表面贴装封装mosfet。 | |
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RJ1L08CGN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 60v 80a功率mosfet_RJ1L08CGN rj1g08cgn是一款具有低导通电阻和大功率小型模具封装的功率mosfet,适用于开关。 | |
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RJ1G12BGN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 40v 120a功率mosfet_rj1g12bgn rj1g12bgn是低导通电阻的功率mosfet,适用于开关。 | |
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RJ1G08CGN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 40v 80a功率mosfet_rj1g08cgn rj1g08cgn是一款具有低导通电阻和大功率小模具封装(lptl)的功率mosfet,适用于开关。 | |
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RHP030N03 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch mosfet_RHP030N03 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
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RHP020N06 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch mosfet_RHP020N06 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | |
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RF6E065BN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 30v 6.5A中功率mosfet_rf6e065bn rf6e065bn是小型表面贴装封装的低导通电阻mosfet,最适合开关用途。 | |
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RF6E045AJ | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 30v 4.5A中功率mosfet_rf6e045aj rf6e045aj是低导通电阻,大功率封装的中功率mosfet。适用于开关用途。 | |
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RF4L055GN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 60v 5.5A功率mosfet_rf4l055gn rf4l055gn是具有低导通电阻的功率mosfet,适用于开关。 | |
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RF4E110GN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4.5V驱动型nch mosfet_RF4E110GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型,大功率,复合化的丰富产品规模,可满足多样的市场需求。 | |
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RF4E110BN | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4.5V驱动型nch mosfet_RF4E110BN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率mosfet。根据用途备有小型,大功率,复合化的丰富产品规模,可满足多样的市场需求。 | |
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RF4E100AJ | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | nch 30v 10a中功率mosfet_rf4e100aj rf4e100aj是小型大功率封装(huml2020l8)的,面向开关和DC / DC转换器,电池开关的mosfet。 |