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Image: BM2P014 BM2P014 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P014 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx4为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。轻负载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P013 BM2P013 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P013 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx3为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P012 BM2P012 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P012 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx2为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: BM2P011 BM2P011 Rohm Semiconductor 电源 AC DC 转换器 随附pwm型DC / DC转换器IC 650v mosfet_BM2P011 AC / DC用pwm方式DC / DC转换器bm2pxx1为所有存在插口的产品提供最佳的系统。绝缘，非绝缘对应，可轻松设计各种形式的低转换器。 内置650v耐压启动电路，有助于实现低功耗。外接开关用电流检测电阻，可实现高自由度的电源设计。使用电流模式控制，进行逐周期电流限制，发挥出最大的瞬态响应的优越性能。开关频率固定为65khz。 轻载时降低频率，实现高效率。内置跳频功能，实现低emi。内置650v耐压mosfet，设计功率。
Image: RF4E080GN RF4E080GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RF4E080GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。 。
Image: RF4E080BN RF4E080BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RF4E080BN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。 。
Image: RF4E075AT RF4E075AT Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -30v -7.5A中功率mosfet_rf4e075at rf4e075at是小型大功率型封装的中功率mosfet，适用于开关，负荷开关用途。
Image: RF4E070GN RF4E070GN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RF4E070GN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。 。
Image: RF4E070BN RF4E070BN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4.5V驱动型nch mosfet_RF4E070BN 场效应晶体管mosfet。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率mosfet。 。
Image: RF4E060AJ RF4E060AJ Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 30v 6A中功率mosfet_rf4e060aj rf4e060aj是大功率封装且低导通电阻的适用于开关用途的mosfet。
Image: RF4C100BC RF4C100BC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -20v -10a中功率mosfet_rf4c100bc rf4c100bc是低导通电阻，小型大功率封装的中功率mosfet。适用于开关，负荷开关用途。
Image: RF4C050AP RF4C050AP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 pch -20v -10a中功率mosfet_rf4c050ap rf4c050ap是低导通电阻，小型大功率封装的mosfet，适用于开关和负载开关用途。
Image: RE1L002SN RE1L002SN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch mosfet_RE1L002SN 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RE1J002YN RE1J002YN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 0.9V驱动nch mosfet_RE1J002YN 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RE1E002SP RE1E002SP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动pch mosfet_RE1E002SP 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RE1C002ZP RE1C002ZP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.2V驱动pch mosfet_RE1C002ZP 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RE1C002UN RE1C002UN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.2V驱动nch mosfet_RE1C002UN 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RE1C001ZP RE1C001ZP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.2V驱动pch mosfet_RE1C001ZP 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RE1C001UN RE1C001UN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.2V驱动nch mosfet_RE1C001UN 电界效应晶体管的mosfet。通过采用细微流程的“针对通信产品的超低阻值的设备”而产生的节能功率mosfet，并结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: RD3P200SN RD3P200SN Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 nch 100v 20a功率mosfet_rd3p200sn rd3p200sn是低导通电阻的功率mosfet，适用于开关。

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