关键词mosfet
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Image: QS5U34 QS5U34 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 1.8V驱动nch + sbd mosfet_QS5U34 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U33 QS5U33 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 4V驱动pch + sbd mosfet_QS5U33 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U28 QS5U28 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS5U28 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U27 QS5U27 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS5U27 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U26 QS5U26 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS5U26 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U23 QS5U23 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS5U23 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U21 QS5U21 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动pch + sbd mosfet_QS5U21 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U17 QS5U17 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch + sbd mosfet_QS5U17 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U16 QS5U16 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch + sbd mosfet_QS5U16 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U13 QS5U13 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch + sbd mosfet_QS5U13 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5U12 QS5U12 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch + sbd mosfet_QS5U12 通过融合采用细微流程的低阻值mosfet与肖特基二极管（sbd）形成了多种产品线来对应不同的市场需求。
Image: QS5K2 QS5K2 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 2.5V驱动nch + nch mosfet_QS5K2 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”，而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet，并结合用途，以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
Image: QH8MA4 QH8MA4 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 30v nch + pch中功率mosfet_qh8ma4 qh8ma4是低导通电阻的中功率mosfet。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。
Image: QH8MA3 QH8MA3 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 30v nch + pch中功率mosfet_qh8ma3 qh8ma3是低导通电阻的中功率mosfet。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。
Image: QH8KA2 QH8KA2 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 30v nch + nch功率mosfet_qh8ka2 qh8ka2是低导通电阻的功率mosfet。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。
Image: QH8KA1 QH8KA1 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 30v nch + nch功率mosfet_qh8ka1 qh8ka1是低导通电阻的功率mosfet。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。
Image: QH8K51 QH8K51 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 100v nch + nch小信号mosfet_qh8k51 qh8k51是用于开关应用的低导通电阻mosfet。
Image: QH8K26 QH8K26 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 40v nch + nch小信号mosfet_qh8k26 qh8k26是小型表面贴装封装的低导通电阻mosfet，最适合开关电路及电机驱动电路用途。
Image: QH8K22 QH8K22 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 40v nch + nch小信号mosfet_qh8k22 qh8k22是低导通电阻，小型表面贴装封装的开关用mosfet。
Image: QH8JA1 QH8JA1 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 -20v pch + pch中功率mosfet_qh8ja1 qh8ja1是将2个低导通电阻的中功率mosfet复合的，小型表面安装封装的mosfet。

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