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Image: CPT60045A CPT60045A Microsemi Corporation schottky powermod
Image: CPT60045AD CPT60045AD Microsemi Corporation schottky powermod
Image: CPT60045D CPT60045D Microsemi Corporation schottky powermod
Image: FST20035 FST20035 Microsemi Corporation schottky powermod
Image: FST20040 FST20040 Microsemi Corporation schottky powermod
Image: FST20045 FST20045 Microsemi Corporation schottky powermod
Image: FST60100 FST60100 Microsemi Corporation schottky powermod
Image: FST6035 FST6035 Microsemi Corporation schottky powermod
Image: FST6040 FST6040 Microsemi Corporation schottky powermod
Image: FST6045 FST6045 Microsemi Corporation schottky powermod
Image: FST6050 FST6050 Microsemi Corporation schottky powermod
Image: FST6080 FST6080 Microsemi Corporation schottky powermod
Image: PD54008-E PD54008-E STMicroelectronics 半导体 晶体管 该器件是一种共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它是为高增益，宽带商业和工业应用而设计的。它以7伏的共源模式工作，频率高达1千兆赫。该器件拥有ST最新ldmos技术的优异增益、线性度和可靠性，该技术安装在第一个真正的smd塑料射频功率组件powerso-10rf中。该设备优越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。 powerso-10塑料封装，旨在提供高可靠性，是ST-jedec批准的第一个大功率贴片封装。它专门针对射频需求进行了优化，提供了出色的射频性能和易于组装。
Image: FDMS7680 FDMS7680 Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet 30/20v nch PowerTrench
Image: FDMA86551L FDMA86551L Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet 60v single N-channel powertrench mosfet
Image: FDD6296 FDD6296 Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet 30v N-Ch powertrench fast switching
Image: FDMC612PZ FDMC612PZ Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet -20v P-channel powertrench mosfet
Image: FDMS8670S FDMS8670S Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet 30v N-channel powertrench syncfet
Image: FDMS86252L FDMS86252L Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet 150v N-channel shielded gate powertrench mosfet
Image: FDMS7700S FDMS7700S Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 mosfet 30v dual N-channel powertrench

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