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Image: PD54008-E PD54008-E STMicroelectronics 半导体 晶体管 该器件是一种共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它是为高增益，宽带商业和工业应用而设计的。它以7伏的共源模式工作，频率高达1千兆赫。该器件拥有ST最新ldmos技术的优异增益、线性度和可靠性，该技术安装在第一个真正的smd塑料射频功率组件powerso-10rf中。该设备优越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。 powerso-10塑料封装，旨在提供高可靠性，是ST-jedec批准的第一个大功率贴片封装。它专门针对射频需求进行了优化，提供了出色的射频性能和易于组装。

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