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Image: RN1412 RN1412 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2412 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1413 RN1413 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2413 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1414 RN1414 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2414 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1415 RN1415 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2415 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1416 RN1416 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2416 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1417 RN1417 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2417 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1418 RN1418 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2418 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: STH300NH02L-6 STH300NH02L-6 STMicroelectronics 半导体 晶体管 这种器件是一种 n 通道增强模式功率 mosfet，采用意法半导体的 stripfettm iii 技术生产，专门设计用于最小化导通电阻和栅极电荷，以提供卓越的开关性能。设计用于汽车应用和 aec-q101限定的传导损耗，减少低外形，非常低的寄生电感，大电流封装
Image: STL40DN3LLH5 STL40DN3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 这个器件是一个 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettm h 5技术开发。该装置经过优化，实现了非常低的通态电阻，从而使 fom 在同类产品中名列前茅。 aec-q101质量低通态电阻高雪崩加固/低栅极驱动功率损耗可控侧翼封装
Image: STL58N3LLH5 STL58N3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 描述 该器件是使用意法半导体的stripfet™H5技术开发的N沟道功率mosfet。该器件经过优化，可实现非常低的导通电阻，从而使fom成为同类产品中最好的。 所有功能 专为汽车应用而设计，且符合aec-q101标准 低导通电阻 高雪崩强度 低栅极驱动功率损耗 可湿的侧面包装
Image: STL66DN3LLH5 STL66DN3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 这个器件是一个双 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettmh 5技术开发。该设备已经优化，以实现非常低的通态电阻，有助于一个最好的 fom，其中在同类。设计用于汽车应用和 aec-q101限定逻辑级别 v gs (th)175 ° c 最大结温度可湿性侧面包装
Image: STL66N3LLH5 STL66N3LLH5 STMicroelectronics 半导体 晶体管 这个器件是一个 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettm h 5技术开发。该装置经过优化以实现非常低的通态电阻，从而使 fom 在同类产品中名列前茅。 aec-q101质量低通态电阻 r ds (on)高雪崩加固/低栅极驱动电源可损耗的侧翼封装
Image: STL86N3LLH6AG STL86N3LLH6AG STMicroelectronics 半导体 晶体管 该器件是采用 stripfettmh6技术研制的 n 沟道功率 mosfet，具有一种新的沟道栅结构。这种功率 mosfet 在所有容器中都表现出非常低的 rd (on)。 aec-q101质量的非常低的通电阻非常低的栅极极高雪崩耐用度低栅极驱动功率损耗逻辑水平可湿性侧翼封装

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