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Image: MIC803-31D2VC3 TR MIC803-31D2VC3 TR Micrel Inc 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 3-pin microprocessor supervisor circuit w/ open-drain reset output
Image: MIC803-46D3VC3 TR MIC803-46D3VC3 TR Micrel Inc 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 3-pin microprocessor supervisor circuit w/ open-drain reset output
Image: MIC826LYMT TR MIC826LYMT TR Micrel Inc 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits voltage supervisor watchdog/dual output
Image: TLV803ZDBZR TLV803ZDBZR Texas Instruments 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 3P vltg supervisor
Image: MIC803-29D3VC3 TR MIC803-29D3VC3 TR Micrel Inc 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 3-pin microprocessor supervisor circuit w/ open-drain reset output
Image: MIC826SYMT TR MIC826SYMT TR Micrel Inc 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits voltage supervisor watchdog/dual output
Image: STM706AM6F STM706AM6F STMicroelectronics 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 5V supervisor 200ms 1.6s timer 40ua
Image: STM708AM6F STM708AM6F STMicroelectronics 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 5V supervisor 200ms 1.6s timer 40ua
Image: TPS3839G33DBZR TPS3839G33DBZR Texas Instruments 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits ultra-Lo 150na vtg supervisor
Image: TPS3839K33DBZR TPS3839K33DBZR Texas Instruments 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits ultra-Lo 150na vtg supervisor
Image: TPS3839L30DBZR TPS3839L30DBZR Texas Instruments 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits ultra-Lo 150na vtg supervisor
Image: STM706TAM6F STM706TAM6F STMicroelectronics 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 5V supervisor 200ms 1.6s timer 40ua
Image: STM708TAM6F STM708TAM6F STMicroelectronics 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits 5V supervisor 200ms 1.6s timer 40ua
Image: STM6780TWB6F STM6780TWB6F STMicroelectronics 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits dual triple ultra Lo vltg supervisor
Image: STM6779YWB6F STM6779YWB6F STMicroelectronics 半导体 集成电路 - IC supervisory circuits dual triple ultra Lo vltg supervisor
Image: BSC093N15NS5 BSC093N15NS5 Infineon Technologies 集成电路 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 英飞凌的新型optimos™5 150 V功率mosfet特别适用于低电压驱动器，例如叉车和电动踏板车，以及电信和太阳能应用。新产品在不影响fom gd和fom oss的情况下，在R DS（on）和Q rr方面实现了突破性的降低（与superso8中的次之最佳相比，降低了25％），有效地减少了设计工作，同时优化了系统效率。此外，超低的反向恢复电荷（superso8中的Q rr = 26 nC）提高了换向耐用性。
Image: STP15N95K5 STP15N95K5 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-CH 950v 0.41ohm typ. 12a supermesh 5
Image: STF15N95K5 STF15N95K5 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-CH 950v 0.41ohm typ. 12a supermesh 5
Image: STW15N95K5 STW15N95K5 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-CH 950v 0.41ohm typ. 12a supermesh 5
Image: STF25N80K5 STF25N80K5 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-Ch 800v 0.19 ohm 19.5A supermesh 5

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