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Image: SMA6T28AY SMA6T28AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T28CAY SMA6T28CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T30AY SMA6T30AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T47AY SMA6T47AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T47CAY SMA6T47CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T56AY SMA6T56AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: KSC5402DTF KSC5402DTF Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt npn silicon transistor planar silicon transistor
Image: MMBFJ211 MMBFJ211 Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors RF jfet nch RF transistor
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Image: LM3046M LM3046M Texas Instruments 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt transistor array
Image: LM3046MX LM3046MX Texas Instruments 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt transistor array
Image: KSD794AYSTU KSD794AYSTU Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt npn Si transistor epitaxial
Image: KSP44TF KSP44TF Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt npn Si transistor epitaxial
Image: NZT902 NZT902 Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt npn transistor low saturation
Image: ULN2803ADWR ULN2803ADWR Texas Instruments 半导体 分离式半导体 transistors darlington transistor arrays
Image: PD55015-E PD55015-E STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet power RF transistor
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Image: PD57018-E PD57018-E STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet power RF transistor
Image: ULN2803AN ULN2803AN Texas Instruments 半导体 分离式半导体 transistors darlington transistor arrays
Image: 2N4401BU 2N4401BU Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt npn transistor general purpose

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