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Image:       NC7WZ86 NC7WZ86 ON Semiconductor 电源 电源管理 IC nc7wz86 是一款双路 2 输入专用 OR 门极,属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列。该器件使用先进的 cmos 技术制造,可实现超高速和高输出驱动,同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定在 1.65 至 5.5V 的 vcc 范围内运行。当 vcc 为 0V 时,输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V,而无论 vcc 运行电压如何。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速;5V vcc时,tpd 2.9 ns典型值变为50 pF 高输出驱动:3V vcc时为± 24 mA 宽 vcc工作范围:1.65 V 到 5.5 V 在 3.3 V 运行时可与 lcx 的性能媲美 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进 5 V 至 3 V 的转换 专利噪声/电磁干扰 (emi) 消减电路已实施
Image:       NC7WZ38 NC7WZ38 ON Semiconductor 电源 电源管理 IC nc7wz38 是一款带开漏输出级的双 2 输入 nand 门极,属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列。该器件使用先进的 cmos 工艺制造,可实现超高速和高输出驱动,同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 vcc 运行范围为 1.65 至 5.5V。当 vcc 为 0V 时,输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V,而无论 vcc 运行电压如何。高阻抗状态下,开漏输出级耐压高达 7V,而无论 vcc 如何。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 或绑定应用的开路漏极输出级 超高速;5V vcc时,tpd 2.2 ns典型值变为50 pF 高输出驱动:3V vcc时为24 mA 宽vcc工作范围:1.65v到5.5V 运行于3.3V vcc时,符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5 V至3 V转换 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施
Image:       NC7WZ32 NC7WZ32 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz32 是一款双 2 输入 OR 门极,属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列。该器件使用先进的 cmos 技术制造,可实现超高速和高输出驱动,同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 vcc 运行范围为 1.65 至 5.5V。当 vcc 为 0V 时,输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V,而无论 vcc 运行电压如何。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速度:tpd 2.4 ns(典型值),50 pF,5V vcc 高输出驱动:±24 mA,3V vccvcc工作范围:1.65v到5.5V 运行于3.3V vcc时,符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V的转换 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施
Image:     NC7WZ241 NC7WZ241 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz241 是一款具有 3 态输出的双非反相缓冲器。该输出启用电路组织为一个缓冲器为有效低电平,另一个缓冲器为有效高电平,因此实现了收发器操作。此超高速器件采用先进的 cmos 工艺制造,可实现卓越的开关性能和高输出驱动,同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 vcc 运行范围为 1.65 至 5.5V。当 vcc 为 0V 时,输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V,无论 vcc 运行范围如何。在 3 态条件下,输出耐压高于 vcc。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速;5 V vcc时,50 pF内的tpd为2.6 ns(典型值) 高输出驱动:±24 mA,3V vcc 广泛的vcc工作电压范围: 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时,符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5 V至3 V转换 输出在3态模式时可耐过压 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施
Image:        NC7WZ240 NC7WZ240 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz240 是一款双反相缓冲器,带独立的有效低电平启用,支持 3 态输出。此超高速器件采用先进的 cmos 工艺制造,可实现卓越的开关性能和高输出驱动,同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 vcc 运行范围为 1.65 至 5.5V 。当 vcc 为 0V 时,输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V,无论 vcc 运行范围如何。在 3 态条件下,输出耐压高于 vcc。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速;5V vcc时,tpd 2.3 ns典型值变为50 pF 高输出驱动:±24 mA,3V vcc 广泛的vcc工作电压范围: 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时,符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V的转换 输出在3态模式时可耐过压 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施
Image:        NC7WZ132 NC7WZ132 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz132 是一款双 2 输入 nand 门极,属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列。该器件使用先进的 cmos 技术制造,可实现超高速和高输出驱动,同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定在 1.65 至 5.5V 的 vcc 运行范围内运行。当 vcc 为 0V 时,输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V,而无论 vcc 运行电压如何。施密特触发器输入在 5V vcc 下可实现正向和负向输入阈值电压之间的 1V 典型迟滞值。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速;5V vcc时,tpd 3.1 ns典型值变为50 pF 高输出驱动:±24 mA,3V vccvcc工作范围:1.65v到5.5V 运行于3.3V vcc时,符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V的转换
Image:      NC7WZ126 NC7WZ126 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz126是一款双通道同相缓冲器,具有用于3态输出的独立高电平有效使能引脚。 该超高速器件采用先进的cmos技术制造,可在高输出驱动下实现出色的开关性能,同时在宽vcc工作范围内保持较低的静态功耗。 该器件额定工作范围为1.65v至5.5V vcc。 当vcc为0V时,输出和输出处于高阻抗状态。 输入端容许电压达到5.5V,不受vcc工作范围的支配。 在处于3态状态时,输出可承受vcc以上的电压。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速;5 V vcc时,50 pF内的tpd为2.6 ns(典型值) 高输出驱动:±24 mA,3V vcc 广泛的vcc工作电压范围: 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时,符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5 V至3 V转换 输出在3态模式时可耐过压 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施
Image:     NC7WZ125 NC7WZ125 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz125 是一款双路非逆向缓冲器,带用于 3 态输出的独立有效低电平启用。该超高速器件使用先进的 cmos 技术制造,可实现出色的开关性能和高输出驱动,同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定在 1.65 至 5.5V 的 vcc 运行范围内运行。当 vcc 为 0V 时,输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V,而无论 vcc 运行范围如何。在 3 态条件下,输出耐压高于 vcc。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速;5 V vcc时,50 pF内的tpd为2.6 ns(典型值) 高输出驱动:±24 mA,3V vccvcc工作范围:1.65v到5.5V 运行于3.3V vcc时,符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V的转换 输出在3态模式时可耐过压 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施