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Image: 74LCX760 74LCX760 ON Semiconductor 半导体 逻辑 lcx760 是 lcx244 的开极-漏极版本。lcx760 包含八个独立的具有 3 态输出的非反相缓冲器。该器件可用作内存地址驱动器、时钟驱动器和总线导向的发射器/接收器。lcx760 适用于低压（2.5V 或 3.3V）vcc 应用，能够联接 5V 信号环境。lcx760 采用先进的 cmos 工艺，在保持 cmos 低功耗的同时，实现了高速运行。 特性 lcx244的漏极开路版本 5V容差输入和输出 提供2.3V-3.6V vcc规格 8.0 ns tpd最大值(vcc = 3.3V)，10 µA icc最大值 掉电高阻抗输入和输出 支持带电插/拔（注1） ±24 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁符合jedec jed78规定 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v
Image: 74LCXH16244 74LCXH16244 ON Semiconductor 半导体 逻辑 lcxh16244包含16个具有3态输出的同相缓冲器，可用作存储器和地址驱动器、时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。 该器件为半字节控制器件。 每个半字节均有独立的3态控制输入，可以短接在一起进行完整的16位运行。 lcxh16244数据输入包含有源总线保持电路，无需外部上拉电阻即可将未用或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。 lcxh16244设计用于接口能力达到5V信号环境的低压（2.5V或3.3V）vcc应用。 lcxh16244采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 5V容差输入和输出电压 提供2.3V-3.6V vcc规格 4.5 ns tpd最大值(vcc = 3.0V)，20 µA icc最大值 输入端总线保持功能避免了外部上拉/下拉电阻的需要。 掉电高阻抗输入和输出 ±24 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v 同样采用塑料微间距球栅阵列(fbga)封装
Image: 74VCX00 74VCX00 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vcx00 包含四个 2 输入 nand 门极。此产品适用于低电压（1.2V 至 3.6V）vcc 应用，I/O 能力达 3.6V。vcx00 采用先进的 cmos 工艺，在保持 cmos 低功耗的同时，实现了高速运行。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 对于3.0V至3.6V vcc，最大值为tpd 2.8 ns 断电高阻抗输入和输出 3.0V vcc时，静态驱动(ioh/iol) ±24 mA 使用专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超越jedec 78条件 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 250v 无引线无铅dqfn封装
Image: 74VCX08 74VCX08 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vcx08 包含四个 2 输入 and 门极。此产品适用于低电压（1.2V 至 3.6V）vcc 应用，I/O 兼容能力达 3.6V。vcx08 采用先进的 cmos 工艺，在保持 cmos 低功耗的同时，实现了高速运行。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 对于3.0V至3.6V vcc，最大值为tpd 2.8 ns 断电高阻抗输入和输出 3.0V vcc时，静态驱动(ioh/iol) ±24 mA 使用专有quiet series™ 噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能在300 mA以上 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 250v 无引线无铅dqfn封装
Image: 74VCX162244 74VCX162244 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vcx162244包含16个具有3态输出的同相缓冲器，可用作内存和地址驱动器、时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。 该器件为半字节（4位）控制器件。 每个半字节均有独立的3态控制输入，可以短接在一起进行完整的16位运行。 74vcx162244设计用于低电压（1.2V到3.6V）vcc应用，I/O能力最高可达3.6V。 74vcx162244也设计为输出端带26ohm串联电阻。 此设计可降低应用中的线路噪声，如内存地址驱动器、时钟驱动器，或总线导向发射器/接收器。 74vcx162244采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 输出端带26ohm串联电阻 对于3.0V至3.6V vcc，最大值为tpd 3.3 ns 断电高阻抗输入和输出 支持带电插拔 3.0V vcc时，静态驱动(ioh/iol) ±12 mA 使用专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过300 mA
Image: 74VCX86 74VCX86 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vcx86包含四个2输入异或门。 此产品设计用于I/O兼容性达到3.6V的低压（1.2V至3.6V）vcc应用。 74vcx86采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 1.2V至3.6V vcc电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 对于3.0V至3.6V vcc，最大值为tpd 3.0ns 断电高阻抗输入和输出 3.0V vcc时，静态驱动(ioh/iol) ±24 mA 使用专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超越jedec 78条件 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 250v 无引线无铅dqfn封装
Image: 74VHC541 74VHC541 ON Semiconductor 半导体 逻辑 vhc541 是一种先进的高速 cmos 器件，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。vhc541 是一种八路缓冲器/线路驱动器，可用作内存和地址驱动器、时钟驱动器和总线导向型发射器/接收器。此器件与 vhc244 的功能相似，同时还能提供通流体系结构（输入位于输出的对侧）。此引脚输出布置使得此器件尤其适合用作微处理器的输出端口，从而简化布局，实现更佳 PC 主板密度。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.5 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.9V（典型值） 引脚和功能与74hc541兼容vhc541 是一种先进的高速 cmos 器件，采用硅门极 cmos 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 ttl 相似的高速运行，同时还能保持 cmos 低功耗。vhc541 是一种八路缓冲器/线路驱动器，可用作内存和地址驱动器、时钟驱动器和总线导向型发射器/接收器。此器件与 vhc244 的功能相似，同时还能提供通流体系结构（输入位于输出的对侧）。此引脚输出布置使得此器件尤其适合用作微处理器的输出端口，从而简化布局，实现更佳 PC 主板密度。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。 特性 高速： vcc = 5V时，tpd = 3.5 ns（典型值） 低功耗： TA = 25°C时，icc = 2 µA（最大值） 高抗噪能力： vnih = vnil = 28% vcc （最小值） 所有输入上都提供掉电保护 低噪声： volp = 0.9V（典型值） 引脚和功能与74hc541兼容
Image: NL27WZ02 NL27WZ02 ON Semiconductor 半导体 逻辑 极高速度：在vcc=5 V时，tpd=2.4 ns（典型值） 设计用于1.65 V至5.5 V vcc操作 过电压容限输入和输出 LVttl兼容-接口能力为5 V ttl逻辑，vcc=3 V lvcmos兼容 24 mA平衡输出接收器和源容量 接近零的静态电源电流大大降低了系统功率需求 更换nc7wz02 芯片复杂度：fet=tbd 提供无铅包装
Image: NL27WZ00 NL27WZ00 ON Semiconductor 电源 电源管理 IC nl27wz00是一种高性能双2输入与非门，工作电压从1.65 V到5.5 V。 特性 极高速度：vcc=5 V时tpd 2.4 ns（典型值） 设计用于1.65 V至5.5 V vcc操作 过电压容限输入 LVttl兼容–接口能力为5 V ttl逻辑，vcc=3 V lvcmos兼容 24 mA平衡输出接收器和源容量 接近零的静态电源电流大大降低了系统功率需求 更换nc7wz00 芯片复杂度：fet=112 提供无铅包装
Image: NL27WZ125 NL27WZ125 ON Semiconductor 半导体 逻辑 极高速度：vcc=5 V时tpd 2.6 ns（典型值） 设计用于1.65 V至5.5 V vcc操作 过电压容限输入和输出 LVttl兼容-接口能力为5 V ttl逻辑，vcc=3 V lvcmos兼容 24 mA平衡输出接收器和源容量 接近零的静态电源电流大大降低了系统功率需求 三态OE输入为低激活状态 更换nc7wz125 芯片复杂度=72场效应晶体管 提供无铅包装
Image: NL27WZ16 NL27WZ16 ON Semiconductor 半导体 逻辑 极高速度：vcc=5 V时tpd 2.0 ns（典型值） 设计用于1.65 V至5.5 V vcc操作 过电压容限输入 LVttl兼容-接口能力为5 V ttl逻辑，vcc=3 V lvcmos兼容 24 mA平衡输出接收器和源容量 接近零的静态电源电流大大降低了系统功率需求 芯片复杂度：fet=72；等效门=18 提供无铅包装
Image: NL27WZ32 NL27WZ32 ON Semiconductor 半导体 逻辑 极高速度：vcc=5 V时tpd 2.5 ns（典型值） 设计用于1.65 V至5.5 V vcc操作 过电压容限输入和输出 LVttl兼容-接口能力为5 V ttl逻辑，vcc=3 V lvcmos兼容 24 mA平衡输出接收器和源容量 接近零的静态电源电流大大降低了系统功率需求 更换nc7wz32 芯片复杂度：fet=120
Image: 74LCX86 74LCX86 ON Semiconductor 半导体 逻辑 特性 5V容许输入电压 提供2.3V-3.6V vcc规格 6.5 ns tpd最大值(vcc = 3.3V)，10 µA icc最大值 掉电高阻抗输入和输出 ±24 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能：机械模型> 2000v人体模型> 200v
Image: TC74HC374APF TC74HC374APF Toshiba 半导体 集成电路 - IC flip flops octal D-type 77 mhz 3-state output vcc5v
Image: 68607-032LF 68607-032LF FCI 连接器 集管和线壳 headers & wire housings 100cl vcc30au blkply
Image: 87023-630 87023-630 FCI 连接器 板对板与夹层连接器 board to board & mezzanine connectors ribcage II vccsm loc
Image: 73542-650 73542-650 FCI 连接器 板对板与夹层连接器 board to board & mezzanine connectors .05cc vccsmtw/dmnd hldwn
Image: IR3080 IR3080 International Rectifier 集成电路 xphase vrd10 control IC with vccvid & overtemp detect
Image: MAW-1201-22 MAW-1201-22 DENSEI-LAMBDA equipment designed to conform emi regulations such As vcci,cispr,fcc,vde,etc
Image: MAW-1202-22 MAW-1202-22 DENSEI-LAMBDA equipment designed to conform emi regulations such As vcci,cispr,fcc,vde,etc

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